場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
這款消費(fèi)級(jí)P+P溝道MOSFET采用SOP-8封裝，專為30V電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)，提供雙通道高效能導(dǎo)通，額定電流高達(dá)8.5A。適用于電池管理系統(tǒng)、電源轉(zhuǎn)換和負(fù)載控制等場(chǎng)景，憑借其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，確保在各種電子設(shè)備中實(shí)現(xiàn)卓越的雙向功率管理效能。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
這款消費(fèi)級(jí)MOSFET采用TO-252-2L封裝，是一款高功率N溝道半導(dǎo)體器件，具有60V的額定電壓及驚人的80A電流承載能力。專為高效能電源轉(zhuǎn)換與開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)，以出色的穩(wěn)定性和卓越能效，成為現(xiàn)代高性能電子設(shè)備的理想之選。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
此款消費(fèi)級(jí)MOSFET采用TO-252-2L封裝，是一款高性能N溝道器件，具備60V的額定電壓及30A的大電流處理能力。適用于各類電源轉(zhuǎn)換、開關(guān)電路等應(yīng)用，以高效能、低損耗和高穩(wěn)定性，滿足現(xiàn)代電子設(shè)備嚴(yán)苛需求。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
這款消費(fèi)級(jí)N+P溝道MOSFET采用SOP-8封裝，額定電壓60V，連續(xù)電流高達(dá)6A，特別適合于電池管理系統(tǒng)、電源轉(zhuǎn)換等需要雙向電壓控制的場(chǎng)合。器件具備雙通道設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)高效能與低導(dǎo)通電阻，確保在正負(fù)電壓切換時(shí)表現(xiàn)出色，是現(xiàn)代電子產(chǎn)品中理想的功率開關(guān)元件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
高性能N+N溝道MOSFET，采用SOP-8封裝工藝，專為消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)打造。具備40V高耐壓及高達(dá)12A的連續(xù)電流處理能力，特別適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)合。本器件以卓越的低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能為核心優(yōu)勢(shì)，是優(yōu)化系統(tǒng)能耗、提升設(shè)備性能的理想之選。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
此款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用緊湊SOP-8封裝，專為30V電壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)，提供6A連續(xù)電流處理能力。適用于電池保護(hù)、電源開關(guān)和負(fù)載控制等應(yīng)用，具備低導(dǎo)通電阻與快速切換性能，確保在各類消費(fèi)電子設(shè)備中實(shí)現(xiàn)高效能、穩(wěn)定可靠的功率管理。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
本款消費(fèi)級(jí)N+N溝道MOSFET采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，雙通道設(shè)計(jì)，額定電壓30V，連電流高達(dá)30A。適用于高效電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載共享和電池管理系統(tǒng)等應(yīng)用，提供卓越的集成度與功率處理能力，實(shí)現(xiàn)現(xiàn)代電子設(shè)備的小型化需求。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
此款高性能消費(fèi)級(jí)MOSFET采用SOP-8封裝，內(nèi)置雙N溝道技術(shù)，額定電壓30V，峰值電流可達(dá)8.5A。適用于各種高效電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)景，如充電設(shè)備、智能家電及消費(fèi)電子的開關(guān)與功率控制。具備低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)性能
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，額定電壓30V，具備60A大電流處理能力，專為高功率、高效能的電源轉(zhuǎn)換與電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用設(shè)計(jì)，提供卓越的開關(guān)性能及低損耗特性。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用緊湊型SOT-23封裝，針對(duì)20V電壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)，提供高達(dá)6A的連續(xù)電流處理能力。具有卓越的低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于充電設(shè)備、電源管理及各類高效率電子應(yīng)用中，實(shí)現(xiàn)高效能、穩(wěn)定的功率轉(zhuǎn)換與控制。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
這款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，具有30V額定電壓和80A強(qiáng)大連續(xù)電流能力，專為高效能電源轉(zhuǎn)換、大電流電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用設(shè)計(jì)，提供卓越的開關(guān)性能與低損耗優(yōu)勢(shì)，滿足高端消費(fèi)電子設(shè)備需求。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用緊湊型SOT-23封裝，適用于20V電壓系統(tǒng)，額定電流為2.3A。擁有出色的低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能，特別適合應(yīng)用于充電器、電源管理模塊以及各類高效電子設(shè)備中，實(shí)現(xiàn)精確、節(jié)能的功率控制與轉(zhuǎn)換。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
此款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET封裝為TO-252-2L，工作電壓高達(dá)60V，可穩(wěn)定處理10A電流。專為中高壓環(huán)境下消費(fèi)電子設(shè)備的電源管理設(shè)計(jì)，以實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的開關(guān)控制，是優(yōu)化系統(tǒng)性能的理想半導(dǎo)體元件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
本款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用SOP-8封裝，額定電壓30V，連續(xù)電流為8.5A。適用于低至中等功率的電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)控制及電池管理系統(tǒng)應(yīng)用，提供緊湊尺寸與高效能，是現(xiàn)代電子設(shè)備的理想選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
本款消費(fèi)級(jí)N+N溝道MOSFET采用SOP-8封裝，集成雙通道技術(shù)，額定電壓30V，連續(xù)電流6A。專為高效電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載均衡及電池管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)小型化與節(jié)能優(yōu)化，是現(xiàn)代電子設(shè)備的理想半導(dǎo)體組件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
這款消費(fèi)級(jí)MOSFET采用先進(jìn)的TO-252-2L封裝，具備N溝道特性，額定電壓30V，持續(xù)電流高達(dá)100A，適用于各類高效率電源轉(zhuǎn)換與開關(guān)控制場(chǎng)景，性能穩(wěn)定，節(jié)能高效。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
這款高性能消費(fèi)級(jí)MOSFET采用SOP-8封裝，集成雙N溝道設(shè)計(jì)，適用于60V高電壓應(yīng)用環(huán)境，最大連續(xù)電流可達(dá)6.5A。適合于充電器、電源轉(zhuǎn)換、逆變器等高效能電路中，提供低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，有效提升系統(tǒng)效率，是現(xiàn)代節(jié)能電子設(shè)備的理想功率管理組件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
這款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用小型SOT-23封裝，適用于20V電壓系統(tǒng)，具備2.3A連續(xù)電流處理能力。特別設(shè)計(jì)用于電池管理、電源開關(guān)及高效能電子設(shè)備中，具有出色的低導(dǎo)通電阻和快速切換性能，實(shí)現(xiàn)卓越的功率轉(zhuǎn)換與控制效能。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
此款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，具有60V工作電壓和高達(dá)50A的大電流處理能力。專為優(yōu)化現(xiàn)代消費(fèi)電子產(chǎn)品開關(guān)性能設(shè)計(jì)，具備高效能、低損耗特點(diǎn)，顯著提升系統(tǒng)效能與穩(wěn)定性，是電源管理方案的理想核心組件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
這款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用DFN3X3-8L封裝，具有緊湊且高效的特點(diǎn)。額定電壓30V，連續(xù)電流高達(dá)32A，適用于空間受限的電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)控制及電池管理系統(tǒng)應(yīng)用場(chǎng)合，提供卓越的低導(dǎo)通電阻和高功率密度解決方案。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
IRLML5103PbF是一款P溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，特別適用于空間有限的電路設(shè)計(jì)。該器件具有30V的額定電壓VDSS，提供4.1A的連續(xù)電流ID，并且其導(dǎo)通電阻僅為48mR，保證了在中等功率應(yīng)用中的高效能與低損耗。廣泛應(yīng)用于電源開關(guān)、電池保護(hù)電路以及各類負(fù)載驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，是電子工程師設(shè)計(jì)高效能方案的優(yōu)選半導(dǎo)體元器件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
這款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用小巧的SOT-23封裝，專為高效電源管理和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。額定電壓高達(dá)30V，持續(xù)電流可達(dá)4.1A，是低電壓、大電流解決方案的理想選擇，適用于各類便攜式和空間受限電子設(shè)備的電路控制。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
Si2301BDS是一款采用SOT-23封裝的小型P溝道MOSFET，專為精密電源管理和便攜式電子設(shè)備設(shè)計(jì)。其特色在于20V的最大工作電壓VDSS，能穩(wěn)定傳輸高達(dá)3A的連續(xù)電流，且導(dǎo)通電阻僅為60mR（RD(on)），實(shí)現(xiàn)了高效能與低功耗的完美結(jié)合。這款MOS管憑借其小巧的體積、優(yōu)良的電氣性能，適用于電池保護(hù)、DC/DC轉(zhuǎn)換器及其他空間有限的電路應(yīng)用。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用SOT-23封裝，額定電壓20V，可承載2.3A連續(xù)電流，適用于各類低電壓、高效率電子應(yīng)用。具備低導(dǎo)通電阻及快速開關(guān)特性，廣泛應(yīng)用于充電器、電源管理及小型化設(shè)備的功率控制，提升系統(tǒng)效能。
