場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用小型化SOT-23封裝，專為20V電壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)，額定電流高達(dá)7A。具備低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性，廣泛應(yīng)用于電池保護(hù)、電源管理及各類(lèi)高效率電子設(shè)備中，實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)可靠的功率轉(zhuǎn)換與控制功能。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用SOT-23封裝，額定電壓60V，最大連續(xù)電流3A。具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)性能，適用于充電器、電源轉(zhuǎn)換等應(yīng)用場(chǎng)合，為各類(lèi)電子設(shè)備提供高效穩(wěn)定的功率控制解決方案。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用SOT-523微型封裝，具有60V高耐壓和0.1A電流處理能力，專為緊湊型、低功耗電子設(shè)備設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)精細(xì)電源管理與高效開(kāi)關(guān)功能。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用SOT-23封裝，適用于30V電壓系統(tǒng)，提供高達(dá)4.2A的連續(xù)電流處理能力。具備低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性，廣泛應(yīng)用于充電器、電源轉(zhuǎn)換等場(chǎng)景，實(shí)現(xiàn)高效能與穩(wěn)定可靠的功率控制功能。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
本款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封裝，具備60V額定電壓及20A連續(xù)電流處理能力。專為緊湊型、高效能電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)控制以及電池管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)現(xiàn)代電子設(shè)備的小體積與高性能需求。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
此款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用緊湊SOP-8封裝，額定電壓40V，具備13A強(qiáng)大連續(xù)電流處理能力。專為高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)，具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異開(kāi)關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于電池管理系統(tǒng)、電源轉(zhuǎn)換及各類(lèi)高效能電子設(shè)備中，實(shí)現(xiàn)卓越的功率控制與能效管理。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
這款消費(fèi)級(jí)N+P溝道MOSFET采用緊湊型SOP-8封裝，專為60V電壓環(huán)境設(shè)計(jì)，額定電流5A。適用于電池管理系統(tǒng)、AC/DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用，具備雙極性開(kāi)關(guān)功能，實(shí)現(xiàn)正負(fù)電壓控制。低導(dǎo)通電阻和卓越的開(kāi)關(guān)性能確保了在高效率電源轉(zhuǎn)換中的穩(wěn)定表現(xiàn)。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
本款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用緊湊型TO-252-2L封裝，具有30V電壓耐受力和高效能的20A電流處理能力。適用于各類(lèi)低壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用的消費(fèi)電子產(chǎn)品，提供卓越的系統(tǒng)效率與穩(wěn)定性，是優(yōu)化電源管理方案的理想半導(dǎo)體元件選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
本款消費(fèi)級(jí)N+P溝道MOSFET采用TO-252-4L封裝，具有60V高耐壓和高效能的20A電流處理能力。專為雙極性電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì)，廣泛應(yīng)用于各類(lèi)中高壓消費(fèi)電子產(chǎn)品中，實(shí)現(xiàn)卓越的能源效率與系統(tǒng)穩(wěn)定性表現(xiàn)。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用SOT-23小型封裝，耐壓高達(dá)60V，適用于低至0.3A電流的精密控制場(chǎng)景。具備快速開(kāi)關(guān)與低導(dǎo)通電阻特性，廣泛應(yīng)用于電池保護(hù)、電源管理及各類(lèi)電子設(shè)備的信號(hào)切換，提供高效且可靠的功率轉(zhuǎn)換解決方案。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
本款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用緊湊型TO-252-2L封裝，具有40V工作電壓及高效能的25A電流承載力。專為低壓、高效率開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)，應(yīng)用于各類(lèi)消費(fèi)電子產(chǎn)品中，以實(shí)現(xiàn)卓越的電源轉(zhuǎn)換效能與系統(tǒng)穩(wěn)定性，是優(yōu)化電路的理想選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
這款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用超小型SOT-323封裝，額定電壓為20V，最大連續(xù)電流1.8A，專為低能耗、高效率的電源管理及電子設(shè)備開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。其精巧體積與卓越性能相結(jié)合，提供出色的電路控制解決方案。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用SOT-23-3L封裝技術(shù)，額定電壓20V，具備6.5A大電流處理能力。具有出色的低導(dǎo)通電阻與快速開(kāi)關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于充電器、電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)高效、可靠的功率控制。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用緊湊型SOT-23-3L封裝，額定電壓高達(dá)60V，最大連續(xù)電流為4.5A，適用于各種電源轉(zhuǎn)換和電子設(shè)備開(kāi)關(guān)控制應(yīng)用。其卓越的性能表現(xiàn)及小巧體積，有效提升系統(tǒng)效率，是電路設(shè)計(jì)的理想選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
這款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用SOT-23封裝，適用于20V電壓系統(tǒng)，具備5A大電流處理能力。憑借其低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于充電器、電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域，為電子設(shè)備提供高效、穩(wěn)定的功率控制解決方案。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，額定電壓30V，峰值電流20A，適用于高效電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用，提供低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)性能及卓越的功率管理解決方案。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用緊湊型SOT-23封裝，專為30V電壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)，額定電流4.1A。具備低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性，廣泛應(yīng)用于充電器、電源轉(zhuǎn)換及各類(lèi)電子設(shè)備中，實(shí)現(xiàn)高效可靠的功率控制與切換功能。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
此款消費(fèi)級(jí)P+P溝道MOSFET采用SOP-8封裝，專為30V系統(tǒng)打造，提供雙P溝道結(jié)構(gòu)以實(shí)現(xiàn)大電流處理能力，額定電流高達(dá)11A。器件擁有卓越的低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于電池管理、電源轉(zhuǎn)換以及高功率電子設(shè)備中，實(shí)現(xiàn)高效可靠的雙向功率控制。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
此款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用緊湊型SOT-23封裝，額定電壓為20V，最大連續(xù)電流4.2A，適用于低電壓、小體積的電源開(kāi)關(guān)、負(fù)載切換及反向電流保護(hù)等應(yīng)用，尤其適合于高效能、空間受限的電路設(shè)計(jì)。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用SOP-8封裝，額定電壓30V，最大連續(xù)電流9A。適用于電池保護(hù)、電源管理與高效能負(fù)載切換應(yīng)用，具備出色的低導(dǎo)通電阻及快速開(kāi)關(guān)特性，是現(xiàn)代電子設(shè)備的理想功率控制元件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
本款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用DFN5X6-8L封裝，額定電壓60V，連續(xù)電流30A。適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及電池管理系統(tǒng)，提供高效能與緊湊設(shè)計(jì)，是現(xiàn)代電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)高功率密度的理想半導(dǎo)體器件選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
本品為消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET，采用高效TO-252-2L封裝。具備60V耐壓及30A電流承載能力，適用于各類(lèi)中低壓開(kāi)關(guān)電路，能有效提升系統(tǒng)能效，穩(wěn)定可靠，是您電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)的理想選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
此款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用微型DFN3X3-8L封裝，額定電壓為30V，連續(xù)電流高達(dá)50A。專為高功率密度應(yīng)用設(shè)計(jì)，適用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)及電池管理系統(tǒng)，提供卓越的能效比與緊湊布局解決方案，滿足現(xiàn)代電子設(shè)備的高性能需求。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用小型化SOT-23封裝，專為100V高壓應(yīng)用設(shè)計(jì)，具備5A大電流處理能力。擁有卓越的低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于充電設(shè)備、電源轉(zhuǎn)換及各類(lèi)高功率電子系統(tǒng)中，實(shí)現(xiàn)高效可靠的功率管理與控制。
