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SI6926ADQ-T1-GE3場效應管參數-SI6926ADQ-T1-GE3MOS管

一、產品特征SI6926ADQ-T1-GE3場效應管，作為電子元件領域的一顆明星，具備著獨特的特性。其市場地位顯赫，不僅因為其可靠性和高性能，更因其在各類電子設備中的廣泛應用。這款MOS管以其卓越的基本特性在市場上脫穎而出，不僅在電源管理、功率放大和信號處理等領域占有一席之地，更在創新領域中嶄露頭角。它承載著電子元件領域中的重要性，為工程師和技術人員提供了一個強大而可靠的選擇。二、技術規格參數SI6926ADQ-T1-GE3的技術規格參數可謂令人矚目。它屬于2個N溝道MOS場效應管，具備出色的漏源電壓(Vdss)為25V和連續漏極電流(Id) ...

2024

01-30

SQD50N06-09L場效應管參數-SQD50N06-09LMOS管

一、產品特征SQD50N06-09L場效應管是一款在電子元件領域中備受矚目的產品。其基本特性包括高性能、可靠性強，具備N溝道MOS結構，能夠在廣泛的電子應用中發揮卓越的作用。在市場上，它以其穩定性和高效能性能，贏得了廣泛的認可，成為方案工程師、技術人員以及制造企業采購的首選之一。其重要性不僅在于其卓越的性能，更在于其在電子元件領域中的多方位應用。二、技術規格參數SQD50N06-09L的技術參數展現了其在N溝道場效應管領域的卓越表現。具體而言，其漏源電壓(Vdss)為60V，連續漏極電流(Id)為50A，功率(Pd)為136W，導通電阻(RD ...

2024

01-30

NTD3055L170T4G場效應管參數-NTD3055L170T4GMOS管

一、產品特征NTD3055L170T4G場效應管是一款在電子元件領域中備受推崇的N溝道MOS管。其基本特性包括高達60V的漏源電壓和16.9A的連續漏極電流。在市場上，它以其卓越的性能和可靠性穩坐行業要角。方案工程師、技術人員以及制造企業采購人員紛紛選擇它，將其應用于各種電子設計中，確保系統性能的穩定和高效。二、技術規格參數NTD3055L170T4G參數的詳細解讀對于了解其性能至關重要。作為一款N溝道MOS管，擁有出色的技術參數，如73mΩ的導通電阻，使其在高功率應用中表現出眾。通過合理配置P溝道漏源電壓、連續漏極電流和功率等參數，方案工程 ...

2024

01-30

IRFR1205TRPBF場效應管參數-IRFR1205TRPBFMOS管

一、產品特征在電子元件領域中，IRFR1205TRPBF場效應管以其卓越的性能和可靠性廣受認可。作為一款N溝道MOS管，其基本特性包括60V的漏源電壓和35A的連續漏極電流。其場效應管在市場上的地位十分顯赫，成為方案工程師、技術人員以及制造企業采購人員的首選之一。其重要性體現在其穩定性、高性能以及在電源管理、信號放大等領域中的廣泛應用。二、技術規格參數IRFR1205TRPBF參數的詳細解讀對于深入了解其性能至關重要。作為一款N溝道MOS管，它具備60V的漏源電壓和35A的連續漏極電流。這些參數不僅決定了其在電子元件領域中的應用范圍，同時為方 ...

2024

01-30

AO7401場效應管參數-AO7401MOS管

一、產品特征AO7401場效應管做為電子元件行業的重要組成部分，以獨特的特征和廣泛應用在市場中占有重要地位。該場效應管不僅有著高效化，并且在電子設計中起到主導地位。其基本特點和市場地位使其變成方案工程師、技術人員以及制造企業的采購員不可忽視。它的重要性在于它不僅有著可靠性和高性能，并且可在各種電子應用中實現獨特的作用。二、技術規格參數深入了解AO7401的技術規格是理解其性能的關鍵。它是一款P溝道MOS管，具有20V的漏源電壓、1.4A的連續漏極電流、400mW的功率以及80mΩ@4.5V,1.4A的導通電阻。這些參數不僅是其卓越性能的體現， ...

2024

01-30

BSP110場效應管參數-BSP110MOS管

一、產品特征BSP110場效應管作為電子元件領域的瑰寶，以其卓越的性能和廣泛的應用而備受矚目。該場效應管不僅具備高度穩定的性能，而且在市場中享有卓越的地位。其基本特性包括N溝道類型，漏源電壓(Vdss)達到了令人矚目的100V，連續漏極電流(Id)達到5A，而導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)則令人印象深刻，為100mΩ@10V,5A。這使得其場效應管在電子元件領域中的地位愈加重要。二、技術規格參數深入了解BSP110的技術規格參數，是為了更好地把握這一強大元件的優越性能。作為N溝道場效應管，其漏源電壓(Vdss)達到100V，連續漏極 ...

2024

01-30

APM2701ACC-TRG場效應管參數-APM2701ACC-TRGMOS管

一、產品特征APM2701ACC-TRG場效應管在電子元件行業起著重要作用。其基本特點包含1個N溝和1個P溝，漏源電壓為20V、持續漏極電流為4.2A。在市場中，因其出色的穩定性和性能，變成方案工程師、技術人員和制造購置的首選。在電子元件行業，它的重要性不可忽視，其特點在各類運用中提升。二、技術規格參數APM2701ACC-TRG的技術參數增添了深入的把握。MOS管的關鍵技術規格包含1個N溝和1個P溝，漏源電壓為20V、持續漏極電流為4.2A、導電阻為36mΩ@4.5V, 4.2A。這些參數不但體現了它的強大特性，并且為解決方案工程師和技術人 ...

2024

01-30

XP152A12C0MR場效應管參數-XP152A12C0MRMOS管

一、產品特征XP152A12C0MR場效應管是電子元件領域中的一顆明星。其基本特性包括P溝道類型、漏源電壓為20V、連續漏極電流為5A。在市場上，它憑借其穩定性和卓越性能贏得了廣泛認可，成為方案工程師、技術人員和制造企業采購的首選之一。其在電源、電機控制等領域的廣泛應用，進一步突顯了其在電子元件領域中的重要性。二、技術規格參數XP152A12C0MR的技術參數為P溝道、20V漏源電壓、5A連續漏極電流。這些技術規格使得XP152A12C0MR在各種電子應用中表現卓越。漏源電壓和漏極電流的平衡，使得它適用于要求較低功率消耗的場景。同時，其高達2 ...

2024

01-30

AO4805&19場效應管參數-AO4805&19MOS管

一、產品特征AO4805&19場效應管做為電子元件領域的重要組成部分，具備突出的特點和市場地位。其基本特點包含獨特工作原理和高度平穩性能，在電子元件中占有重要地位。在市場中，它因其穩定性和普遍適用性而成為很多方案工程師和技術人員的優選。在電子元件領域，它的重要性不可小覷，其穩定性和可靠性為各類項目提供了堅實的運用。二、技術規格參數AO4805&19的技術規格參數展現了其在不同應用場景中的卓越性能。該場效應管屬于2個P溝道類型，具有30V的漏源電壓(Vdss)和8.3A的連續漏極電流(Id)。此外，其功率和導通電阻等參數進一步突 ...

2024

01-29

AP2306AGN場效應管參數-AP2306AGNMOS管

一、產品特征AP2306AGN場效應管是一款在電子領域備受矚目的組件。其基本特性展現出了卓越的性能，將其市場地位提升至不可忽視的高度。作為電子元件領域的關鍵組成部分，它在各種應用場景中發揮著重要作用。其特色設計和可靠性使其成為方案工程師、技術人員以及制造企業采購的首選。二、技術規格參數AP2306AGN的關鍵技術參數為N溝道漏源電壓（Vdss）：30V，連續漏極電流（Id）：6.5A，導通電阻（RDS(on)@Vgs,Id）：30mΩ@10V,6.5A。這些參數的詳細解讀為電子工程領域的專業人員提供了充足的信息，尤其是N溝道漏源電壓、連續漏極 ...

2024

01-29

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SI6926ADQ-T1-GE3場效應管參數-SI6926ADQ-T1-GE3MOS管

SQD50N06-09L場效應管參數-SQD50N06-09LMOS管

NTD3055L170T4G場效應管參數-NTD3055L170T4GMOS管

IRFR1205TRPBF場效應管參數-IRFR1205TRPBFMOS管

AO7401場效應管參數-AO7401MOS管

BSP110場效應管參數-BSP110MOS管

APM2701ACC-TRG場效應管參數-APM2701ACC-TRGMOS管

XP152A12C0MR場效應管參數-XP152A12C0MRMOS管

AO4805&19場效應管參數-AO4805&19MOS管

AP2306AGN場效應管參數-AP2306AGNMOS管