NTR4171PT1G場效應管參數-NTR4171PT1GMOS管
引言在遼闊的電子元件世界里,NTR4171PT1G場效應管以其出色的性能和關鍵的市場地位,樹立起行業標桿。該P溝場效應管因其出色的電氣特性和高效的作用,在電子設計制造行業中占有重要地位。它不但在提高設備性能和質量方面發揮著主導地位,并且在推動電子元件技術發展和創新方面起著重要作用,變成電子元件行業不可或缺的一部分。技術規格參數詳解NTR4171PT1G展示了其做為高性能P溝MOS管不凡性能參數。該場效應管具備20V漏源電壓(Vdss)和5A持續漏極電流(Id),主要適用于電子設計的需求。其功率為1.25W,導通電阻為43mmΩ(在4.5V, 在5A條件下 ...