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AP9435GG場效應管參數-AP9435GGMOS管

一、產品特征AP9435GG場效應管做為電子元件領域的重要代表之一，擁有獨特的特征和市場地位。這節將簡單介紹它在電子元件領域的基本特點與作用，以幫助讀者更好地了解和認知AP9435GG其價值。二、技術規格參數AP9435GG的參數包括P溝道，漏源電壓(Vdss)：30V，連續漏極電流(Id)：7.6A，導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：50mΩ@10V,7.6A。這些參數的詳細解讀將有助于讀者更深入地了解AP9435GG的技術特性和性能指標，為其在實際應用中的選擇提供重要的參考依據。三、工作原理及應用1. 工作原理AP9435GG場效 ...

2024

04-18

XP162A12A6PR場效應管參數-XP162A12A6PRMOS管

一、產品特征XP162A12A6PR場效應管是電子元件領域的重要代表之一，其基本特性和市場地位至關重要。作為一款性能穩定、應用廣泛的場效應管，它在電子元件領域中具有不可替代的地位。其優異的特性使得它成為方案工程師、技術人員以及制造企業采購的首選之一。二、技術規格參數XP162A12A6PR的參數包括P溝道，-30V，-7.6A，50mΩ@-10V。這些參數的詳細解讀將有助于讀者全面了解XP162A12A6PR的技術性能和特點，為其在實際應用中的選擇提供了重要的參考依據。三、工作原理及應用XP162A12A6PR場效應管的工作原理是電子元件領域中的關鍵之一 ...

2024

04-18

DMP3099L-7場效應管：技術規格參數、工作原理與應用電路全解析

一、產品特征DMP3099L-7場效應管，作為電子領域的瑰寶，展現著令人矚目的特性。其市場地位不可忽視，因其在電子元件領域中的獨特重要性。這款場效應管以其卓越的性能和穩定性，在各種電子應用中脫穎而出。不僅如此，其先進的技術使得DMP3099L-7在市場上占據著重要位置，成為方案工程師、技術人員以及制造企業采購的首選之一。二、技術規格參數DMP3099L-7參數展示了其在電子領域中的卓越表現。這款P溝道場效應管擁有30V的漏源電壓、5.6A的連續漏極電流，以及在10V電壓和5.6A電流下僅為46mΩ的導通電阻。這一系列技術規格參數體現了DMP3 ...

2024

03-12

CEA3055場效應管參數-CEA3055MOS管

一、產品特征CEA3055場效應管是電子元件領域的一顆明星，其獨特的性能使其在市場中占據重要地位。作為一種N溝道MOS場效應管，以其穩定可靠的特性而著稱。在各種電子設備中，它都發揮著不可或缺的作用，其高效的性能和可靠的質量為電子產品的穩定運行提供了強大的支持。二、技術規格參數CEA3055參數提供了重要的技術指標，這些指標直接影響著其在電路設計中的應用。該器件具有N溝道類型，漏源電壓為60V，連續漏極電流達到8A，導通電阻在10V時為30mΩ，這些參數使得其能夠在各種電路中發揮出色的性能。同時，這些參數也為工程師們提供了設計電路時的重要參考。 ...

2024

02-28

NTR0202PLT1G場效應管參數-NTR0202PLT1GMOS管

一、產品特征NTR0202PLT1G場效應管是電子元件領域中一款備受矚目的產品。其基本特性包括P溝道類型、漏源電壓(Vdss)為20V、連續漏極電流(Id)為5A、功率(Pd)為2.5W、導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)為35mΩ@10V,5.1A。作為一種高性能的MOS管，它在電源管理、驅動電路等領域發揮著重要作用。在市場上，其享有良好的聲譽，備受技術人員和制造企業采購的青睞。其穩定可靠的性能為電子產品的研發和生產提供了強大的支持。二、技術規格參數NTR0202PLT1G參數是了解該產品的重要指標之一。作為P溝道場效應管，它具有20 ...

2024

02-27

HM3400PR場效應管參數-HM3400PRMOS管

一、產品特征HM3400PR場效應管是電子元件領域的重要商品。其具有性能高、穩定性強的特點，廣泛應用于各種電子設備中。作為一種良好的場效應管，在電池管理、功率放大、開關控制等方面起著重要作用。其市場地位堅固，備受工程師和制造企業的青睞。它利用其穩定可靠的特性，為電子元器件的研發和生產提供了堅實的支撐。二、技術規格參數HM3400PR參數是了解該產品的重要指標之一。該MOS管的類型為N溝道，漏源電壓(Vdss)為30V，連續漏極電流(Id)為6.8A，導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)為22mΩ@4.5V,6.8A。這些參數直接影響著它的 ...

2024

02-27

SI4840DY-T1-E3場效應管參數-SI4840DY-T1-E3MOS管

一、產品特征做為電子元件行業關鍵商品，SI4840DY-T1-E3場效應管擁有多種優質特性，備受市場青睞。其基本特點包含性能高、穩定性強、應用范圍廣等特點。它在電子元件行業發揮著不可替代的作用，為各類電路原理提供了可靠的運用。把握基本特點和市場地位，做為方案工程師、技術人員和制造企業采購員至關重要。二、技術規格參數SI4840DY-T1-E3參數如下：N溝道漏源電壓(Vdss)為40V，連續漏極電流(Id)為12A，功率(Pd)為6W，導通電阻(RDS(on))在10V電壓下為10mΩ。這些技術參數決定了在電路設計中的性能和應用場景。詳細解讀 ...

2024

02-27

SI4848DY-T1-E3場效應管參數-SI4848DY-T1-E3MOS管

一、產品特征 SI4848DY-T1-E3場效應管是電子元件領域中備受矚目的產品之一。其具有優異的特性，市場地位顯著，并在電子元件領域中扮演著重要角色。SI4848DY-T1-E3的特性包括高電壓容忍度、可靠性強以及高效能的特點，這使得它在各種電路設計中都具備了重要作用。作為方案工程師、技術人員以及制造企業采購人員，了解它的特性和市場地位對于選擇合適的元器件至關重要。 ...

2024

02-27

SI2333DS-T1-GE3場效應管參數-SI2333DS-T1-GE3MOS管

一、產品特征SI2333DS-T1-GE3場效應管做為電子元件行業備受矚目的產品之一，以其不凡特點和可靠性而穩居市場前端。他在電子設備中起著重要作用，不但廣泛用于電池管理、光耦合電路等領域，并且在各種信號分析和通訊設備中發揮著主導地位。因其優異的性能和穩定性，SI2333DS-T1-GE3場效應管為電子元件領域提供了重要的支撐確保。二、技術規格參數SI2333DS-T1-GE3參數詳細解讀如下：類型為P溝道漏源電壓(Vdss)為20V，連續漏極電流(Id)可達5A，功率(Pd)為2.5W，導通電阻(RDS(on))在10V電壓下為35mΩ，5 ...

2024

02-27

IRFR3710ZTR場效應管參數-IRFR3710ZTRMOS管

一、產品特征IRFR3710ZTR場效應管作為一種重要的電子元件，在電子元件領域具有重要地位。其基本特性包括高達100V的N溝道漏源電壓（Vdss），可連續承受60A的漏極電流（Id），以及在10V時的導通電阻僅為18.5mΩ。它在電源管理、電機驅動等領域中發揮著重要作用，為電路設計提供了可靠性和穩定性的保障。在市場上，因其穩定可靠的性能和廣泛的應用領域而備受青睞，被廣泛應用于各種電子設備和系統中。二、技術規格參數IRFR3710ZTR的技術參數如下：該場效應管采用N溝道設計，具有100V的漏源電壓，能夠承受高達60A的連續漏極電流。其在10 ...

2024

02-27

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AP9435GG場效應管參數-AP9435GGMOS管

XP162A12A6PR場效應管參數-XP162A12A6PRMOS管

DMP3099L-7場效應管：技術規格參數、工作原理與應用電路全解析

CEA3055場效應管參數-CEA3055MOS管

NTR0202PLT1G場效應管參數-NTR0202PLT1GMOS管

HM3400PR場效應管參數-HM3400PRMOS管

SI4840DY-T1-E3場效應管參數-SI4840DY-T1-E3MOS管

SI4848DY-T1-E3場效應管參數-SI4848DY-T1-E3MOS管

SI2333DS-T1-GE3場效應管參數-SI2333DS-T1-GE3MOS管

IRFR3710ZTR場效應管參數-IRFR3710ZTRMOS管