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SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

本消費級MOSFET采用SOP-8封裝，集成N+P溝道結構，額定電壓30V，最大連續電流6A。專為電池管理系統、AC/DC轉換器等應用設計，具備優秀的雙向開關性能及低導通電阻特性，有效提升能源效率并確保在正負電壓下穩定運行，是現代節能電子設備的理想選擇。

MX3416MI

SOT-23-3L

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

該款消費級N溝道MOSFET采用SOT-23-3L封裝，專為20V電壓系統設計，提供高達6.5A的連續電流處理能力。具備低導通電阻和快速開關性能，廣泛應用于充電器、電源轉換等場景，實現高效、穩定的功率控制需求。

AOD607

TO-252-4L

MXsemi

晶體管

2500個/圓盤

本款消費級N+P溝道MOSFET采用TO-252-4L封裝，額定電壓30V，具有高效能的20A電流處理能力。專為雙極性電源轉換與開關應用設計，適用于各類消費電子產品，提供卓越的系統效率和穩定性表現，是優化電路的理想選擇。

BSN20

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

該款消費級N溝道MOSFET采用SOT-23封裝，額定電壓50V，電流承載能力0.5A。特別適用于電池保護、信號切換等低至中等電流應用，憑借其出色的低導通電阻與快速開關特性，實現精準高效的功率管理，是各類電子設備的理想組件選擇。

IRFR9024NTRPBF

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個/圓盤

本款消費級P溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，具備60V高耐壓及10A電流處理能力。專為低壓開關應用設計，適用于各類消費電子產品中的電源管理與轉換需求，提供高效、低損耗的系統解決方案。

2N7002KW

SOT-323

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

這款消費級N溝道MOSFET封裝為SOT-323，具有60V高擊穿電壓及0.1A電流容量，特別適合于低功耗電子設備的電源管理與精準開關應用。其微型尺寸與高效性能相結合，提供理想的電路設計解決方案。

2SK3018W

SOT-323

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

本款消費級MOSFET采用SOT-323封裝，具備N溝道特性，額定電壓高達30V，電流容量為0.1A，適用于各類小型電子設備，提供高效、穩定的開關與功率轉換性能。

AON7534

DFN-8L(3x3)

MXsemi

晶體管

5000個/圓盤

本款消費級N溝道MOSFET采用極緊湊DFN3X3-8L封裝，具備強大功率處理能力。額定電壓30V，連續電流高達100A，專為高效能、小體積電源轉換、負載開關以及電池管理系統設計，實現卓越的電流承載與空間利用率。

IRFH8318PBF

DFN-8L(5x6)

MXsemi

晶體管

5000個/圓盤

這款高性能N溝道消費級MOSFET采用緊湊DFN5X6-8L封裝，專為高電流應用設計。額定電壓30V，具備150A強大連續電流承載能力，適用于電源轉換、電池管理系統及大功率開關場合，提供卓越的導通性能和散熱效果，是現代電子設備實現高效能功率管理的理想選擇。

DMG1013T

SOT-523

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

DMG1013TP溝道MOS管采用精巧的SOT-523封裝，專為現代緊湊型電子產品設計。器件最大工作電壓VDSS為20V，持續電流承載能力高達0.7A，具備優秀的260mR導通電阻，確保低功耗下的高效能運行。廣泛應用于移動設備、電池管理、低電壓系統開關控制等場景，DMG1013T憑借其卓越的電氣性能與小巧封裝，成為電路設計中節省空間與提升效率的理想選擇。

AO3401A

SOT-23-3L

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

AO3401A是一款P溝道MOSFET，采用小型SOT-23-3L封裝，適合空間有限的電路設計。器件參數強大，最大漏源電壓VDSS為30V，可承載高達4.2A的連續漏極電流ID，且具有45mR的導通電阻RD(on)，在開關應用中表現優秀，低導通電阻確保了高效能與低功耗。廣泛應用在電源管理、負載開關、電池保護和各類電子設備的低電壓、中等電流開關控制中。

MX4430S

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

此款消費級N溝道MOSFET采用SOP-8封裝，額定電壓30V，連續電流高達18A。專為高效能電源轉換、負載開關及電池管理系統設計，具備卓越的散熱性能與小尺寸優勢，是現代電子設備的理想功率管理組件。

LP2309LT1G

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

該款消費級P溝道MOSFET采用SOT-23封裝，適用于20V電壓系統，具備5A大電流處理能力。憑借其卓越的低導通電阻和快速開關性能，廣泛應用于充電器、電源轉換等場景中，實現高效、穩定的功率控制與切換功能。

10N65

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個/圓盤

此款N溝道消費級MOSFET采用TO-252-2L封裝，專為處理高耐壓、中等電流應用設計。具備650V的卓越擊穿電壓和10A連續工作電流，尤其適用于高壓開關電路、電源轉換器及逆變器系統，提供高效可靠的功率管理解決方案，是您提升電子設備性能的理想之選。

IRFR3410TRPBF

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個/圓盤

這款N溝道消費級MOSFET采用TO-252-2L封裝，專為中高電壓、大電流應用設計。額定擊穿電壓100V，連續電流承載能力高達30A，特別適用于電源轉換器、電機驅動及負載開關場合，提供卓越的導通性能與能效表現，是構建高性能電子系統的理想功率半導體器件選擇。

DMG2302U

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

DMG2302U型號MOS管采用緊湊型SOT-23封裝，內含先進N溝道技術，為提升電路效率精心設計。器件具有20V的漏源電壓(VDSS)，在正常工作狀態下可承載2.3A連續漏極電流(ID)，適用于各類中小功率應用。其48mR的低導通電阻(RD(on))有效降低了功耗，提高了能源使用效率。廣泛應用于電源轉換、負載開關控制及各類低壓電子設備的開關電路，是提升產品性能與節能效果的理想半導體元件。

AO4409

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

這款高性能P溝道消費級MOSFET采用小巧的SOP-8封裝，專為高效率功率轉換與大電流開關應用設計。器件提供30V額定電壓及高達15A的連續電流處理能力，適合于緊湊型電子設備中的電源管理、負載切換等場合，實現卓越的系統能效和可靠性。

MX120N03NF

DFN-8L(5x6)

MXsemi

晶體管

5000個/圓盤

這款消費級N溝道MOSFET采用DFN5X6-8L封裝，額定電壓30V，提供高達120A的連續電流處理能力。專為高功率密度應用設計，如電源轉換、電機驅動及電池管理系統，實現卓越的散熱性能與高效能表現。

MX4480S

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

此款消費級N溝道MOSFET采用SOP-8封裝，具有40V的額定電壓和高達14A連續電流。專為中等功率應用設計，適用于電源轉換、負載開關控制及電池管理系統，提供緊湊尺寸與卓越性能表現，滿足現代電子設備高效節能需求。

IRF7241PBF

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

IRF7241PbF是一款P溝道MOSFET，采用SOP-8封裝，專為高電流、高效能應用設計。器件提供40V的漏源電壓(VDSS)，在14mR的低導通電阻(RD(on))下，可承載高達13A的漏極電流(ID)。廣泛應用于電源轉換、電機驅動、電池管理系統等領域，憑借其強大的電流處理能力和出色的能效表現，成為您優化系統性能和降低能耗的理想半導體組件。

IRF7341PBF

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

型號IRF7341PbF的N+N溝道MOS管采用SOP-8封裝，專為高效能、大電流應用設計。該器件的最大工作電壓VDSS高達60V，連續電流ID能力為6.5A，勝任高壓大電流環境下的穩定運行。導通電阻RD(on)低至32mR，有效減少功率損耗，提升系統整體能效。廣泛應用于電源轉換、電機驅動、逆變器等領域，是工程師追求高性能、節能解決方案的理想MOS管選擇。

SMBJ26CA

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

此款SMB封裝的Bi雙向TVS瞬態抑制二極管，適用于26V電壓系統，提供全面的正負向過壓防護。在瞬態事件中可承受高達14.3A峰值脈沖電流，具備快速響應和高效鉗位性能，有效防止雷擊、靜電等瞬變現象對電子設備造成損害，是中高電壓環境的理想雙向浪涌保護器件。

IRF8721PBF

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

IRF8721PbF型號MOS管，采用小巧的SOP-8封裝，專為現代電子設備的小型化設計。該N溝道MOS管可在30V的最大電壓下穩定工作，提供高達15A的連續電流承載能力。其關鍵技術參數為7.5mR的超低導通電阻，顯著提升能源效率并減少功率損耗，適用于電源轉換、大電流開關控制、電機驅動等多種高效率應用場景，是構建高效節能系統的理想半導體組件。

DMN4026SSD

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

DMN4026SSD是一款高性能N+N溝道MOSFET，采用緊湊型SOP-8封裝，專為高效能電子設備設計。該器件提供40V的額定電壓VDSS，最大連續電流ID可達12A，表現出卓越的電力控制能力。其導通電阻RD(on)僅為16mΩ，有助于顯著降低系統功耗，提升整體能效。適用于電源轉換、負載開關控制及中等電流驅動等應用場合，DMN4026SSD是您實現高效、可靠電路設計的理想半導體組件。

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