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SOT-23-3L

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

AO3481是一款P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23-3L封裝，適宜空間受限的電路布局。器件特性卓越，具有30V的最大漏源電壓(VDSS)，可處理高達4.2A的連續漏極電流(ID)，且其導通電阻(RD(on))僅為45mR，確保在開關過程中實現高效能與低功耗。廣泛應用于電源管理、負載開關電路、電池保護系統以及各種便攜式和手持設備的低電壓、中等電流控制中。

MMBF2201NT1

SOT-323

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

MMBF2201NT1N溝道MOSFET采用小巧精密的SOT-323封裝，實現空間利用率最大化。該器件具有20V的最大漏源電壓(VDSS)，在導通狀態下可承載2A的漏極電流(ID)，同時保持優秀的低導通電阻49mR(RD(on))，從而有效提高系統效能，減少能量損失。這款MOS管廣泛應用在開關電源轉換、馬達驅動、消費電子產品等場景中，是工程師打造高性能、低能耗電路的理想之選。

AO4430

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

本款消費級N溝道MOSFET采用SOP-8封裝，額定電壓30V，連續電流高達18A。專為中高功率需求設計，應用于電源轉換、負載開關控制及電池管理系統，具備出色的能效比和小型化特點，滿足現代電子產品緊湊高效的半導體要求。

HD6362

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個/圓盤

該消費級N溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，額定電壓30V，峰值電流高達100A，專為大電流、高效率電源轉換和電機驅動等應用設計，提供卓越的開關性能與低損耗特性，是高性能消費級電子設備的理想組件。

DMP4051LK3-13

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個/圓盤

本款消費級P溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，額定電壓40V，提供穩定的25A電流處理能力。專為中低壓、高效能的開關應用設計，適用于各類消費電子產品，確保卓越的電源轉換效率與系統穩定性表現。

DMG1012T-7

SOT-523

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

這款消費級N溝道MOSFET采用超小型SOT-523封裝，具備20V工作電壓和0.8A電流承載能力，專為低功耗、高集成度的電子設備設計，實現高效電源管理與精確開關控制。

IRLML0030TRPBF

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

該款消費級N溝道MOSFET采用小型SOT-23封裝，適用于30V電壓系統，提供5.8A強大電流處理能力。具有出色的低導通電阻和快速開關性能，是充電器、電源轉換及高功率電子設備的理想選擇，確保高效穩定的功率控制與轉換。

AOD417

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個/圓盤

本款消費級P溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，額定電壓30V，具備強大40A電流處理能力。專為高效能、低損耗的消費電子開關應用設計，有效提升系統性能與節能效果，是在低壓環境下優化電源管理方案的理想半導體元件選擇。

HD7256

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個/圓盤

本款消費級N溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，額定電壓100V，峰值電流高達20A，適用于高功率電子設備的電源轉換、電機驅動等應用，提供高效能、低損耗的開關控制解決方案。

AO4614

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

此款消費級N+P溝道MOSFET采用緊湊SOP-8封裝，專為雙向電源控制和高效轉換設計。額定電壓40V，連續電流高達7.2A，適用于電池管理系統、AC/DC轉換器等應用。集成雙極性通道，具備低導通阻抗與卓越的開關性能，確保在正負電壓下穩定工作，是電路設計的理想選擇。

HS2290

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

這款高性能消費級MOSFET采用SOP-8封裝，內含雙N溝道設計，專為處理高電流應用打造。額定電壓40V，連續通過電流高達12A，適用于電源轉換、馬達驅動等場合。憑借其卓越的低導通電阻和高速開關性能，有效提升系統效率并確保穩定運行。

FDN338P

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

該款消費級P溝道MOSFET采用SOT-23封裝，適用于20V電壓系統，提供2.3A電流處理能力。具備低導通電阻和快速開關性能，廣泛應用于電池保護、電源管理等場景，是電子設備高效能功率控制的理想選擇。

MX30G20DF

DFN-8L(3x3)

MXsemi

晶體管

5000個/圓盤

本款消費級N+P溝道MOSFET采用DFN3X3-8L封裝，集成雙通道，額定電壓30V，連續電流16A。專為小型化、高效率電源轉換與負載控制設計，適用于電池管理系統等應用場景，提供出色的能效比及空間節省方案。

HN6976

DFN-8L(5x6)

MXsemi

晶體管

5000個/圓盤

此款消費級N溝道MOSFET采用DFN5X6-8L封裝，具備60V額定電壓和30A連續電流處理能力。專為高效率電源轉換、電機控制與電池管理系統設計，擁有出色的熱性能及功率密度，是現代緊湊型電子設備的理想選擇。

AOD4144

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個/圓盤

這款消費級N溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，額定電壓30V，峰值電流高達60A，專為高效電源轉換、大電流負載控制等應用設計，提供出色的開關性能和低損耗特性，是高功率消費電子設備的理想選擇。

50N06

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個/圓盤

本款消費級N溝道MOSFET采用高效TO-252-2L封裝，具有60V高耐壓和強大50A電流承載能力。專為高性能消費電子設備設計，實現低電阻、高速開關，顯著提升系統效能與穩定性，是優化電源管理方案的理想半導體元件選擇。

SI2306A

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

這款消費級N溝道MOSFET采用SOT-23封裝，專為30V電壓系統設計，具備高達5.8A的大電流處理能力。具有優越的低導通電阻和快速開關性能，廣泛應用于充電器、電源轉換以及各類高功率電子設備中，實現高效可靠的功率管理與切換功能。

MX5N50D

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個/圓盤

此款消費級N溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，擁有高達500V的高耐壓及穩定的5A電流處理能力。適用于各類高壓開關應用場合的消費電子產品，確保卓越的電源轉換效率、低損耗和系統穩定性表現。

IRF640NPBF

TO-220

MXsemi

晶體管

50個/圓盤

這款消費級N溝道MOSFET采用TO-220封裝，專為處理200V高電壓、中大電流應用設計。額定連續電流18A，廣泛應用于電源轉換、電機驅動及電池管理系統，具備低導通電阻和卓越散熱性能，是現代電子設備高效能功率控制的理想元件。

IRF630

TO-220

MXsemi

晶體管

50個/圓盤

這款N溝道消費級MOSFET采用TO-220封裝，專為處理200V高電壓下的中等電流應用。額定連續電流9A，廣泛應用于電源轉換、電機控制及電池管理系統，具備低導通電阻和高效散熱設計，是現代電子設備理想的高耐壓功率開關器件。

IPD40DP06NMATMA1

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個/圓盤

此款TO-252-2L封裝的P溝道消費級MOSFET，專為中等電壓、大電流應用設計。額定電壓60V，連續電流承載能力高達10A，適用于電源轉換、負載開關及電池管理系統，具備低導通電阻和優越熱性能，是現代電子設備高效能功率控制的理想選擇。

AOD478

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個/圓盤

這款消費級N溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，具備100V高耐壓和高達20A連續電流處理能力，適用于電源轉換、電機驅動等高性能應用場景，提供卓越的開關性能與穩定可靠的功率管理解決方案。

IPG20N06S4L-26

DFN-8L(5x6)

MXsemi

晶體管

5000個/圓盤

這款雙N溝道消費級MOSFET采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，專為高功率密度和大電流應用設計。具有60V額定電壓及單通道高達50A的連續電流能力，尤其適用于高效電源轉換、電動單車電池管理系統以及電機驅動場景，提供卓越的能效表現與可靠的開關性能。

ZXMP3A13F

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

ZXMP3A13FP溝道MOS管采用緊湊型SOT-23封裝，專為高效能電路設計打造。該器件耐壓高達30V，能提供穩定的4.1A電流輸出，并具有優秀的48mΩ導通電阻，從而確保了系統在運行過程中的低功耗與高效率。廣泛應用在電源轉換、負載切換、電池保護等領域，是工程師進行綠色節能電子設計的理想之選。

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