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DMP4065S-7

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

該消費級P溝道MOSFET采用SOT-23封裝，額定電壓40V，具備5A強大電流承載力。具有低導通電阻與快速開關性能，廣泛應用于充電器、電源轉換等設備中，實現高效、穩定的功率控制與管理。

BSN20BKR

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

該款消費級N溝道MOSFET采用SOT-23封裝，額定電壓60V，額定電流0.3A，適用于低至中等功率應用。具備低導通電阻和快速開關特性，廣泛應用于電池保護、信號切換等場合，實現精準、高效的功率管理與控制。

NX3008NBK

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

該款消費級N溝道MOSFET采用SOT-23封裝，專為30V電壓系統設計，額定電流高達5A。具備優越的低導通電阻和快速開關特性，適用于充電器、電源轉換器以及各類高效率電子設備中，實現精準、可靠的功率控制與管理。

HS6334

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

這款消費級N溝道MOSFET采用SOP-8封裝，額定電壓30V，連續電流高達15A。適用于中等功率的電源轉換、負載控制及電池管理系統應用，具有出色的能效和空間利用率，為現代電子產品提供高效可靠的半導體解決方案。

IRLML0040TRPBF

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

該消費級N溝道MOSFET采用緊湊SOT-23封裝，額定電壓40V，支持5A連續電流。具備低導通電阻與快速開關性能，適用于充電器、電源轉換和高效能電子設備，提供穩定可靠的功率控制解決方案。

HN6373

DFN-8L(3x3)

MXsemi

晶體管

5000個/圓盤

這款消費級P溝道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封裝，額定電壓30V，具備高達50A的連續電流處理能力。專為緊湊型、高功率應用設計，如電源轉換、負載開關和電池管理系統，實現卓越的能效與空間利用率。

HN2288

DFN-8L(3x3)

MXsemi

晶體管

5000個/圓盤

本款消費級N+N溝道MOSFET采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，具備雙通道驅動能力，額定電壓30V，連續電流高達30A。適用于高效電源轉換、負載均衡和電池管理系統等應用場合，提供卓越的集成度與能效表現。

3439KDW

SOT-363

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

該消費級MOSFET采用緊湊型SOT-363封裝，集成N+P溝道設計，額定電壓20V，最大連續電流0.8A，適用于低功耗電子設備的電源轉換和智能開關控制。其小巧體積與高效能特性為電路設計帶來靈活可靠的解決方案。

AON7422E

DFN-8L(3x3)

MXsemi

晶體管

5000個/圓盤

這款消費級N溝道MOSFET采用極致緊湊的DFN3X3-8L封裝，額定電壓30V，峰值電流高達80A，具備卓越的功率密度與性能表現。專為小型化、高效率電源轉換、負載開關控制以及電池管理系統設計，實現高性能與空間優化的最佳平衡。

AO8810

TSSOP-8

MXsemi

晶體管

5000個/圓盤

這款雙N溝道消費級MOSFET采用節省空間的TSSOP-8封裝，專為高效能電路設計。擁有20V電壓額定值和單通道7A連續電流承載能力，適用于DC-DC轉換、低電壓電源開關及負載控制應用，提供低導通電阻和出色的性能表現，是現代電子設備的理想功率管理組件。

BSC066N06NS

DFN-8L(5x6)

MXsemi

晶體管

5000個/圓盤

這款消費級N溝道MOSFET采用超小型DFN5X6-8L封裝，具備卓越的功率密度和散熱性能。工作電壓高達60V，連續電流可達80A，特別適合應用于高效率電源轉換、大電流開關控制及電池管理系統中，以緊湊設計實現強大電力驅動。

ST2304

SOT-23-3L

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

型號ST2304的N溝道MOS管，采用小型化SOT-23-3L封裝，極其適合于緊湊型電子設備設計。該器件具備強大的電性能參數，工作電壓VDSS高達30V，連續電流ID承載能力高達5.8A，確保在高負載條件下穩定運行。其亮點在于超低導通電阻RD(on)，僅為22mR，有助于降低功耗，提升整體系統效能。廣泛運用于電源管理、開關調節、電機驅動等應用領域，是工程師實現高效率、節能設計的理想選擇。

ST2304SRG

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

ST2304SRG是一款N溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，專為現代緊湊型電子設計打造。器件具備30V的最大漏源電壓(VDSS)，可在高效率下處理4A連續漏極電流(ID)，展現強大的電流處理能力。尤為突出的是，其導通電阻(RD(on))僅為29mΩ，確保在工作狀態下降低功耗，提升整體能效。此款MOS管廣泛應用在電源轉換、負載開關、電機驅動等領域，是您尋求高效、節能半導體解決方案的理想伙伴。

IPD90P03P4L-04

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個/圓盤

這款TO-252-2L封裝的P溝道消費級MOSFET，專為大電流應用設計。具備30V額定電壓和高達120A連續電流承載能力，尤其適用于電源轉換、電池管理系統以及高功率開關電路，提供卓越的能效表現與散熱性能，是現代電子設備實現高效功率控制的理想組件。

IRF740

TO-220

MXsemi

晶體管

50個/圓盤

這款N溝道消費級MOSFET采用經典的TO-220封裝，專為處理高電壓大電流應用設計。具備400V的擊穿電壓和11A連續電流能力，適用于各類電源轉換、電機驅動及開關控制場合，提供卓越的能效表現，是您高效可靠功率管理的理想選擇。

IRF7807ZTRPBF

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

該N溝道消費級MOSFET采用SOP-8封裝，專為30V電壓下的高效率應用設計。具備8.5A連續電流承載能力，特別適用于電源轉換、電機驅動和電池管理系統，具有低導通電阻與優良熱特性，是現代電子產品中不可或缺的高性能功率開關器件。

DMN67D8L

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

DMN67D8L是一款高品質N溝道MOSFET，采用節省空間的SOT-23封裝形式，適合高密度電路板設計。該器件提供60V的電壓耐受能力（VDSS），并可承載0.3A的連續漏極電流(ID)，且具有優異的導電效率，導通電阻低至1000mR，有助于減少能量損耗并優化系統效能。廣泛應用于電源轉換、電子負載控制以及其他要求嚴苛的開關電路中，是您優化電路設計的理想之選。

DMN601K

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

這款DMN601KN溝道MOS管采用緊湊型SOT-23封裝，專為高效能、低功耗應用設計。其核心參數包括額定電壓VDSS高達60V，連續漏極電流ID可達0.3A，具備優秀的導通性能，導通電阻僅為1000mΩ，確保了在各種電路環境下的穩定工作和低熱損耗，適用于電源管理、開關電路等多種場景。

BS870

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

BS870是一款N溝道MOSFET，采用經濟實用的SOT-23封裝，適用于各類緊湊型電子設計。該器件提供了高達60V的漏源電壓(VDSS)，并能持續承載0.3A的漏極電流(ID)，其特色在于擁有1000mR的低導通電阻(RD(on))，有效降低能耗，提升系統效率。廣泛應用于電源轉換、電機驅動、開關電路等領域，是實現高效能、低功耗應用的理想半導體組件。

MMBF170-F

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

MMBF170-F是一款N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為現代電子產品的小型化設計打造。器件具有60V的高耐壓值(VDSS)，并能在系統中安全處理0.3A的連續漏極電流(ID)。其導通電阻僅為1000mR，有助于大幅度降低功耗，提升系統整體效能。廣泛應用于電源轉換、電機驅動、開關電路等領域，是實現高效、節能電子方案的理想半導體元件。

DMN65D8LQ

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

DMN65D8LQ是一款高性能N溝道MOSFET，采用微型SOT-23封裝，專為現代緊湊型電子設備設計。器件具備60V的高耐壓（VDSS），可承載0.3A的連續漏極電流（ID），且其優越的導通性能體現在低至1000mR的導通電阻（RD(on)）上，有效降低能耗，提升系統效能。廣泛應用于電源管理、負載開關、電機驅動等電路中，是實現高效、節能應用的理想半導體元件。

2N7002E-T1-E3

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

2N7002E-T1-E3N溝道MOS管采用小巧的SOT-23封裝，特別適合空間有限的設計項目。該器件支持高達60V的漏源電壓(VDSS)，并能提供0.3A的連續漏極電流(ID)，適用于低至中等電流級別的應用。其導通電阻RD(on)為1000mR，盡管相對較高，但在微小電流傳輸或信號控制方面表現出色。廣泛應用于電源管理、邏輯電平轉換、低功率電路控制等領域，是微型化電子產品的理想選擇。

IRFH5302TRPBF

DFN-8L(5x6)

MXsemi

晶體管

5000個/圓盤

這款N溝道消費級MOSFET采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，專為大電流應用優化。額定電壓30V，能承載高達150A的連續電流，尤其適用于電源轉換、電池管理系統及高功率開關電路，具備卓越的導通性能與散熱設計，是現代電子設備實現高效能功率管理的理想選擇。

BSC042N03LSG

DFN-8L(5x6)

MXsemi

晶體管

5000個/圓盤

該N溝道消費級MOSFET采用DFN5X6-8L封裝，專為高電流應用設計。額定電壓30V，提供高達120A連續電流處理能力，適用于電源轉換、電池管理系統及大功率開關電路，具有低導通電阻和卓越散熱性能，是現代電子設備實現高效能功率管理的理想之選。

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