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SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

DMN3033LSNQN溝道MOSFET采用小型化SOT-23封裝，為現代電子設備提供強勁動力支持。這款器件具備30V的高耐壓值(VDSS)，能在導通狀態下安全承載高達5.8A的大電流，且擁有出眾的低導通電阻特性——僅22mR(RD(on))。它非常適合應用于開關電源轉換、大電流電機驅動及其他對能效與穩定性有較高要求的場合，是您提升系統性能、優化能源利用的理想半導體器件之選。

RUE002N02

SOT-523

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

RUE002N02是一款采用精巧SOT-523封裝的高效能N溝道MOSFET，具備出色的電性參數。其工作電壓VDSS高達20V，連續通過電流ID高達0.8A，同時擁有超低導通電阻RD(on)，僅為100mR，確保了器件在運行中的高效能與低損耗表現。這款MOS管非常適合應用于各類電源轉換、電池保護、便攜式設備及消費電子產品的電路設計中，為您的產品帶來更強的功率管理和更高的能效比。

AO3485

SOT-23-3L

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

AO3485型號P溝道MOS管，采用微型SOT-23-3L封裝設計，體積小巧，方便在緊湊型電子設備中布局。器件具有20V的額定電壓VDSS，以及4.1A的連續電流ID承載能力，專為高效能、低功耗應用打造。其34mR的導通電阻，確保在實際操作中實現較高的能源轉換效率。此款MOS管適用于各類電源開關、負載驅動和邏輯電平轉換場景，出廠前經過嚴格質量把控，確保在各類工況下都能展現卓越性能。

BSS816NWH6327XTSA1

SOT-323

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

BSS816NWH6327XTSA1是一款精密N溝道MOSFET，采用小型SOT-323封裝，專為緊湊型和高效能電子設計。器件提供20V的最大漏源電壓(VDSS)，具備穩定的2A漏極電流(ID)，并具有49mΩ的低導通電阻(RD(on))，確保了卓越的能源效率和低功耗表現。此款MOS管廣泛應用在移動設備、電源管理、信號切換等對尺寸和效率要求高的電路中，是實現小型化、節能解決方案的關鍵元件。

FDN306P

SOT-23-3L

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

FDN306PP溝道MOS管采用小型化的SOT-23-3L封裝，專為高效率、低阻抗電路設計。器件亮點在于強大的電氣規格，最大工作電壓VDSS為20V，連續電流承載能力高達4.1A，且擁有超低導通電阻RD(on)僅為34mR，實現了卓越的電能轉化效率與快速響應速度。廣泛適用于電源轉換、電機驅動、負載開關等應用環境，FDN306P憑借其出色的性能表現與穩定質量，成為眾多電子設計工程師的理想之選。

DMG3420U

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

DMG3420U是一款高性能N溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝，專為高功率密度和低功耗應用設計。該器件提供20V的最大漏源電壓(VDSS)，并能承載高達6A的連續漏極電流(ID)，其出色的22mΩ導通電阻(RD(on))確保了卓越的電能轉換效率。廣泛應用于電源轉換、電機驅動、電池管理系統等領域，是構建緊湊、高效電子設備的理想半導體元件。

ST3426

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

ST3426是N溝道MOS管，采用緊湊型SOT-23封裝，專為高效空間利用設計。該器件規格出色，具有60V的最大穩態電壓(VDSS)，額定電流高達3A，且導通電阻僅為80mΩ，確保了更低的功率損耗和更高的能效表現。廣泛應用于電源管理、開關調節器、電機驅動等場景，以其高性能、穩定耐用的特性，成為您電子項目的理想組件選擇。

SM3415SRL

SOT-23-3L

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

SM3415SRL型號P溝道MOS管，采用緊湊型SOT-23-3L封裝，適合在空間受限的電路板上使用。該器件提供20V的額定電壓VDSS，以及4.1A的連續電流ID處理能力，特別適用于中低壓下的電源開關和負載驅動應用。其導通電阻僅有34mR，旨在增強系統效能，降低功耗。此MOS管在電源管理、邏輯電平轉換等方面表現出色，出廠前已通過嚴格品質測試，確保在各應用場合下發揮穩定可靠性能。

PMV30UN2R

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

PMV30UN2R是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為高效能和小型化電子設備設計。該器件具有20V的最大漏源電壓(VDSS)，可承載高達6A的連續漏極電流(ID)，并具有優秀的22mΩ導通電阻(RD(on))，確保在高電流應用中也能保持低功耗和高效能。廣泛應用于電源轉換、電機驅動、電池管理系統等領域，是構建節能、緊湊型電子解決方案的理想半導體組件。

DMN2041L

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

DMN2041L是一款高性能N溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，專為高功率密度和低功耗應用設計。器件提供20V的最大漏源電壓(VDSS)，能夠承載6A的連續漏極電流(ID)，并配備22mΩ的超低導通電阻(RD(on))，確保了卓越的電能轉換效率和穩定性。廣泛應用于電源轉換、電機驅動、電池管理系統等場景，是小型化、高效電子設備的優質半導體元件。

DMG6968U

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

DMG6968U是一款高效率N溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，專為緊湊型和節能電子設備設計。該器件具有20V的最大漏源電壓(VDSS)，能承載高達6A的連續漏極電流(ID)，其22mΩ的導通電阻(RD(on))確保了在低功耗條件下仍保持出色的能效表現。廣泛應用于電源管理、電機驅動、電池保護電路等領域，是實現小型化、高性能電子解決方案的理想半導體組件。

DMG3404L

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

DMG3404L是一款高性能N溝道MOSFET，采用小型化的SOT-23封裝，專為高效能電子設計。該器件具有30V的漏源電壓額定值(VDSS)，可承載高達5.8A的連續漏極電流(ID)，并擁有出色的低導通電阻特性，僅22mR(RD(on))。這款MOS管適用于開關電源轉換、大電流電機驅動及其它高功率應用領域，致力于提升系統效率，降低能耗，是您設計中的優質半導體組件選擇。

Si2338DS-T1-GE3

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

Si2338DS-T1-GE3是一款N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，尤其適合于高密度電路設計。器件提供30V的最大漏源電壓(VDSS)，具備強大的電流承載能力，可持續處理5.8A漏極電流(ID)，且在導通狀態下具有極低的22mR導通電阻(RD(on))，有效提升了功率轉換效率。此款MOS管廣泛應用于開關電源、電機驅動、以及其他高功率電子設備中，助力實現高效能、低損耗的系統方案。

FDN304PZ

SOT-23-3L

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

FDN304PZ型號P溝道MOS管，采用經濟高效的SOT-23-3L封裝形式，專為現代電子設備的小型化需求設計。器件擁有20V的額定電壓VDSS，以及4.1A的連續電流ID處理能力，適用于多種功率控制應用。其導通電阻低至34mR，有助于提升系統效率，降低能耗。此款MOS管常用于電源開關、負載驅動、邏輯電平轉換等功能模塊，出廠前歷經嚴格品質檢驗，確保為用戶提供穩定可靠的性能表現。

AO4466

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

AO4466N溝道MOSFET采用SOP-8封裝，是一款專為高電流應用設計的高效半導體器件。該器件具有30V的最大漏源電壓(VDSS)，可穩定傳輸8.5A的連續電流，且導通電阻僅14mΩ，保證在大電流條件下仍能維持低功耗與高效率運行。廣泛應用于電源管理、電機驅動、開關電路等領域，以其出色的電流承載能力和優秀的電氣性能，為您的電路設計提供強有力的支持。

AON6566

DFN-8L(5x6)

MXsemi

晶體管

5000個/圓盤

此款消費級N溝道MOSFET采用DFN5X6-8L封裝，額定電壓30V，連續電流高達80A。專為高效電源轉換、電機驅動及電池管理系統設計，具備卓越的功率處理能力和散熱性能，是現代高功率電子設備的理想選擇。

MX4832S

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

本款消費級N+N溝道MOSFET采用SOP-8封裝，集成雙通道技術，額定電壓30V，連續電流高達10A。專為高效電源轉換、負載均衡及電池管理系統設計，具有高集成度和能效表現，滿足現代電子產品多通道控制需求。

IRFML8244TRPBF

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

此款N溝道消費級MOSFET采用SOT-23封裝，專為高效能、中高電流應用設計。額定電壓30V，提供高達5.8A連續電流承載能力，尤其適用于電源轉換、負載開關以及電池管理系統，具有低導通電阻和卓越的熱性能，是現代電子設備的理想功率控制組件。

FDS9435A

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

FDS9435A型號MOS管，采用精良P溝道工藝制造，封裝形態為節省空間的SOP-8，專為現代電子設備的小型化設計服務。該器件擁有30V的額定電壓VDSS，可承載5A的強大連續漏極電流ID，且導通電阻RD(on)低至43mR，確保高效能、低損耗運行。此款MOS管廣泛適用于電源轉換、負載切換等場景，以其出色的電氣性能成為優化系統效能的關鍵組件。

IRLML9303TRPBF

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

這款P溝道消費級MOSFET采用SOT-23封裝，適用于30V電壓下的中等功率應用。提供4.1A連續電流處理能力，特別優化于電源轉換、負載開關和電池管理系統，具備低導通電阻及卓越的熱性能，是現代便攜式和緊湊型電子設備的理想功率控制組件。

IRLML9301TRPBF

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

此款SOT-23封裝P溝道消費級MOSFET，專為高效能、中等電流應用設計。額定電壓30V，具備4.1A連續電流處理能力，廣泛應用于電源轉換、負載開關以及便攜式電子設備的功率控制模塊，提供低導通電阻和卓越的熱性能，是現代電子產品不可或缺的核心半導體元件。

FDN337N

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

該款消費級N溝道MOSFET采用SOT-23小型封裝，額定電壓30V，最大連續電流5A。具備低導通電阻和高速開關性能，廣泛應用于充電設備、電源轉換器及各類高效率電子系統中，提供穩定可靠的功率管理解決方案。

FDN5630

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

該款消費級N溝道MOSFET采用SOT-23封裝，適用于60V電壓系統，具備3A大電流處理能力。具有低導通電阻與快速開關特性，廣泛應用于充電器、電源轉換等領域，實現高效、穩定的功率控制及轉換功能。

MX9435S

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

此款消費級P溝道MOSFET采用SOP-8封裝，特別適合于30V電壓環境下的低電平驅動應用。額定電流5A，具備卓越的開關性能與低導通電阻，適用于電池保護、負載切換和電源管理等場景。小巧尺寸，高效率設計，為電子設備提供穩定可靠的功率控制解決方案。

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