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SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

此款P溝道消費級MOSFET采用緊湊型SOT-23封裝，專為高效電源開關和負載控制設計。器件具備20V額定電壓及高達5A連續電流承載能力，尤其適用于電池供電設備、小型逆變器以及DC-DC轉換等應用場合，提供卓越的低導通電阻性能，是現代電子設備中理想的功率管理組件。

PMF170XP

SOT-323

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

PMF170XP是一款高性能P溝道MOSFET，采用小型化SOT-323封裝，專為緊湊型和節能電子設計。該器件支持最大20V的漏源電壓(VDSS)，可承載1.8A的連續漏極電流(ID)，其120mΩ的導通電阻(RD(on))確保了在低功耗下的高效能表現。廣泛應用于電源轉換、負載開關、電池保護電路等領域，是小型化、節能型電子解決方案的理想半導體元件。

DMP6350S

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

DMP6350SP溝道MOSFET采用緊湊型SOT-23封裝，專為高效能、低功耗電子設計。器件支持高達60V的漏源電壓(VDSS)，并能在160mR(RD(on))的導通電阻下，承載穩定的2A漏極電流(ID)。此款MOS管廣泛應用于電源開關、電池管理系統、反向電流保護等功能模塊，其出色的電壓承受能力和精準的電流控制性能，為您的電路設計提供更優質的解決方案。

FDN5618P

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

FDN5618P是一款P溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，適用于空間有限的設計項目。該器件提供高達60V的漏源電壓(VDSS)，能夠支持1.6A的連續漏極電流(ID)，并且具備140mΩ的導通電阻(RD(on))，在低電壓應用中展現卓越性能。廣泛應用于電源開關、負載切換、邏輯電平轉換等功能模塊，是您構建高效、可靠電路的理想選擇。

DMP3130L

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

DMP3130LMOS管是一款采用小型SOT-23封裝的高性能P溝道半導體器件，具有30V的高耐壓值VDSS，確保在多種應用環境下穩定運行。器件支持4.2A連續電流ID，導通電阻低至45mR，有效提升能源效率，減少功率損耗。適用于電池保護、電源開關控制以及中等電流負載驅動等場合，是電路設計的理想選擇，助您實現高效、可靠的系統功能。

NTR4171P

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

NTR4171PMOS管是一款高效P溝道半導體器件，采用小型SOT-23封裝形式，節省電路板空間。其工作電壓高達30V，并能在系統中穩定提供4.2A的電流ID。值得一提的是，該器件導通電阻為45mR，確保在傳輸過程中損耗較低，能效較高。廣泛應用于電源管理、電池保護和負載開關等各種需要精確控制電流流向的應用場景，是您設計項目中的理想選擇。

BSH205G2R

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

BSH205G2R是一款P溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，專為高效、緊湊型電路設計。該器件具有20V的漏源電壓額定值(VDSS)，可承載高達2.3A的連續漏極電流(ID)，且具有出色的導通性能，導通電阻低至120mR，有利于降低功耗并提升系統效率。廣泛應用于電源管理、負載開關控制、低電壓大電流邏輯轉換等領域，是您優化電路設計的理想半導體元件。

NTR0202PL

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

NTR0202PL是一款P溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，特別適合于緊湊型電子設計和低功耗應用。該器件擁有20V的漏源電壓VDSS，能夠承載高達2.3A的連續漏極電流ID，適用于電源開關、負載驅動等多種場合。其導通電阻RD(on)為130mR，展現了優秀的能效性能，常被應用于包括電源管理、電池保護電路在內的各類電子設備中。

DMP2160U

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

DMP2160U是一款采用SOT-23小型封裝的P溝道MOS管，適用于空間受限和便攜式電子設備的電源管理與開關應用。該器件提供20V的最大漏源電壓VDSS，可處理3A連續漏極電流ID，確保在低壓環境下穩定工作。其導通電阻RD(on)為60mΩ，有助于在低功率應用中降低功耗，提升系統效率。DMP2160UMOS管以其小巧尺寸和可靠性能，成為移動設備、電池管理系統等領域理想的半導體組件。

Si2305CDS-T1-GE3

SOT-23

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晶體管

3000個/圓盤

Si2305CDS-T1-GE3是一款P溝道MOSFET，采用輕巧的SOT-23封裝，專為小型化電子設備提供高效能解決方案。該器件擁有以下關鍵特性最大工作電壓VDSS為20V，確保在高電壓環境下穩定運行；具備5A的漏極電流能力，滿足多種電流需求；導通電阻RD(on)低至30mΩ，有助于減少功耗，提升整體效率。廣泛用于電源轉換、負載開關控制和電池保護等場景，是您理想中的高集成度與節能型MOS管組件。

DMP2045U

SOT-23

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晶體管

3000個/圓盤

DMP2045UP溝道MOSFET采用緊湊型SOT-23封裝，專為現代微型電子設備量身打造。該器件具備20V的最大工作電壓VDSS，可持續提供5A的漏極電流，展現穩定高效的電流處理能力。其亮點在于30mΩ的低導通電阻RD(on)，助力降低系統能耗，提升整體能效。廣泛應用于電源管理、負載開關、電池保護等領域，是您設計高品質、節能電子產品的優選MOS管器件。

SM2301SRL

SOT-23

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晶體管

3000個/圓盤

SM2301SRL是一款采用SOT-23封裝的P溝道MOS管，專為緊湊型電子設備和低電壓應用設計。器件提供20V的最大漏源電壓VDSS，具備3A的連續漏極電流ID能力，確保在低壓環境下穩定運行。其導通電阻RD(on)為60mΩ，有助于減少能源損耗，增強系統效能。SM2301SRLMOS管適用于電池供電設備、電源管理、負載開關等應用場合，以優異的性能和小巧的體積滿足各類便攜式和嵌入式設計需求。

Si2329DS-T1-GE3

SOT-23

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晶體管

3000個/圓盤

Si2329DS-T1-GE3是一款P溝道MOSFET，采用經濟高效的SOT-23封裝，適合各類緊湊型電路設計。該器件亮點在于具備20V的最大工作電壓VDSS，可穩定輸出5A的漏極電流；并且擁有30mΩ的低導通電阻RD(on)，確保了更低的功率損耗和更高的系統效率。廣泛應用于電源轉換、負載開關、電池保護等相關領域，是您在設計高集成度和節能方案時的理想MOS管器件選擇。

Si2323CDS-T1-GE3

SOT-23

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晶體管

3000個/圓盤

Si2323CDS-T1-GE3是一款P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，特別適合現代微小電子設備設計。該器件規格出色最大工作電壓VDSS為20V，能夠承載5A的連續漏極電流，確保穩定運行；其導通電阻RD(on)低至30mΩ，旨在最大程度減少能耗，提升系統效率。廣泛應用在電源轉換、負載開關控制、電池保護等方面，是您實現高集成度與節能目標的理想MOS管解決方案。

FDN308P

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

FDN308P是一款P溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝，專為高密度電子電路設計。其核心性能包括最大漏源電壓(VDSS)為20V，能穩定輸出3A漏極電流(ID)，同時具有較低的60mΩ導通電阻(RD(on))，在低電壓、中等電流應用中表現出色。這款MOS管適用于電源管理、負載開關控制、邏輯電平轉換等功能場景，是優化系統效能和縮小產品體積的理想半導體元件。

AO3493

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

AO3493是一款P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為低電壓、低功耗應用設計。該器件具有20V的最大漏源電壓VDSS，可持續提供3A的漏極電流ID，保證在低壓系統中穩定工作。其導通電阻RD(on)為60mΩ，有效降低功率損耗，提高能源利用效率。AO3493MOS管廣泛應用于電池管理、電源開關、負載驅動等場景，憑借其出色的電氣性能和小型封裝，成為現代便攜式和嵌入式電子設備的理想選擇。

Si2323DS-T1-E3

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

Si2323DS-T1-E3是一款P溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝，專為緊湊電子設計提供高集成度解決方案。該器件特性顯著具備20V的最大工作電壓VDSS，可安全承載5A的連續漏極電流；其低至30mΩ的導通電阻RD(on)，旨在最大限度地降低功耗，提升系統能效。適用于電源轉換、負載開關、電池保護等廣泛應用場景，是您追求節能與高性能的理想MOS管器件選擇。

ST9435A

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

ST9435A型號MOS管運用先進技術的P溝道架構，采用緊湊型SOP-8封裝形式，專為現代電子產品的小型化與高性能要求設計。該器件能在30V額定電壓VDSS下穩定工作，提供高達5A的連續漏極電流ID，且具有優秀的43mR導通電阻RD(on)，確保低功耗和高效能表現。廣泛應用在電源轉換、電機驅動等場景，是優化系統性能和節能降耗的優質半導體元件。

PMV65XP

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

PMV65XP是一款P溝道MOSFET，采用小巧的SOT-23封裝，適用于空間有限且需精確控制電流的電路設計。該器件提供20V的最大漏源電壓VDSS，支持3A的連續漏極電流ID，確保在低壓系統中穩定工作。其獨特的優點在于導通電阻RD(on)低至60mΩ，有效降低功率損耗，提升能源使用效率。PMV65XPMOS管是電池供電設備、電源開關、負載驅動等應用的理想選擇，用其出色的性能滿足您的低電壓、低功耗半導體需求。

Si2323DDS-T1-GE3

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

Si2323DDS-T1-GE3是一款P溝道MOSFET，采用業界標準SOT-23封裝，專為緊湊型電子設計提供卓越性能。該器件特性鮮明具有20V的最大工作電壓VDSS，能穩定處理5A的漏極電流；并且，其30mΩ的低導通電阻RD(on)設計大大減少了功率損失，提高了系統整體能效。廣泛應用于電源管理、負載開關控制、電池保護等電路設計中，是您尋求高性能、節能方案的理想MOS管元件選擇。

DMP2215L

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

DMP2215L是一款P溝道MOSFET，采用節省空間的SOT-23封裝，尤其適合于緊湊型電源管理和移動設備應用。器件特性包括最大工作電壓VDSS為20V，能支持高達3A的連續電流，且具備優異的導通性能，導通電阻低至60mR（RD(on)）。這款MOS管憑借其高效的能效轉化率和小巧封裝，是電池保護電路、DC/DC轉換器以及其他小型電子設備的理想選擇。

RTE002P02

SOT-523

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

RTE002P02是一款采用精巧SOT-523封裝的P溝道MOS管，針對現代電子產品的小型化需求設計。其工作電壓高達20V，可承受0.7A的連續電流，充分滿足各種低電壓應用場合的需求。該器件擁有優秀的導通性能，導通電阻僅260mΩ，顯著減小功率損耗，提升整體效能。適用于電源切換、電池管理系統及其他需精細控制電流的領域，是您優化設計、追求高效節能的優質選擇。

FDY102PZ

SOT-523

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

FDY102PZP溝道MOS管采用超微型SOT-523封裝，特別適合于高密度、低功耗電子產品的設計需求。該器件具有優越的電氣性能，最大工作電壓VDSS高達20V，連續電流ID可達0.7A，其導通電阻RD(on)低至260mR，有效保證了在低電流應用中的能效表現。FDY102PZMOS管廣泛應用在便攜式設備、電池保護、邏輯電平轉換等場景，以小巧的體積和出色的性能，成為設計者們構建高效電路的得力工具。

DMP2004TK

SOT-523

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

DMP2004TK是一款P溝道MOS管，采用迷你型SOT-523封裝，特別適用于對空間有限制的精密電路設計。該器件擁有卓越的電氣性能，最大工作電壓VDSS為20V，可承受0.7A連續電流，且導通電阻低至260mR，確保了低功耗下的高效能運作。廣泛應用于智能手機、穿戴設備、物聯網模塊等領域的電源管理與邏輯電平轉換，DMP2004TK憑借其小巧體積與優秀性能，成為現代電子產品設計的理想組件。

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