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SOT-523

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

DMP21D0UTP溝道MOS管采用微型SOT-523封裝，專為輕薄型電子產(chǎn)品量身打造。器件具備卓越電氣性能，最大工作電壓VDSS高達20V，連續(xù)電流承載能力為0.7A，導通電阻RD(on)低至260mR，有效保障低功耗下的高效能運行。此款MOS管廣泛應用于移動設備、電源管理模塊、邏輯電平轉(zhuǎn)換等領域，以小巧體積、高效性能及良好穩(wěn)定性，成為現(xiàn)代電子設計的理想元件選擇。

SM4803APRL

SOP-8

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晶體管

3000個/圓盤

SM4803APRL是一款P+P溝道MOSFET，采用SOP-8封裝，適合各種空間有限的電路設計。器件參數(shù)包括最大漏源電壓(VDSS)為30V，能夠提供5.3A的穩(wěn)定漏極電流(ID)，同時擁有35mΩ的導通電阻(RD(on))，在高效能和低功耗之間取得平衡。此款MOS管廣泛應用于電源管理、負載開關控制、電池保護系統(tǒng)等領域，是您構建高效節(jié)能電路的理想組件。

SI1013X-T1-GE3

SOT-523

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晶體管

3000個/圓盤

SI1013X-T1-GE3是一款P溝道MOSFET，采用超小型SOT-523封裝，特別適合于緊湊型電子設備的內(nèi)部空間優(yōu)化。該器件具有20V的最大漏源電壓(VDSS)，可穩(wěn)定傳輸0.7A漏極電流(ID)，同時，它還具有260mR的導通電阻(RD(on))，確保在低電壓、小電流應用中實現(xiàn)良好性能和低功耗。這款MOS管廣泛應用于電源管理、電池保護、邏輯電平轉(zhuǎn)換等場景，是小型化電子產(chǎn)品設計的理想半導體組件。

DMP2123L

SOT-23

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晶體管

3000個/圓盤

DMP2123L是一款高效能P溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，專為低功耗及高密度電子設計打造。其關鍵特性包括最大耐壓VDSS為20V，可提供高達4.2A的連續(xù)漏極電流，展現(xiàn)卓越的電流處理能力。器件的導通電阻RD(on)僅為48mR，大大增強了系統(tǒng)能效并降低功耗。DMP2123LMOS管因其出色的開關性能、高電流承載力和穩(wěn)定性，廣泛應用在電源管理、電池保護、便攜式設備等多元化場景，是您設計中理想的高性能半導體元件。

DMP2120U

SOT-23

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晶體管

3000個/圓盤

DMP2120U是一款高效P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為低功耗和小型化電子設備設計。其關鍵性能指標包括耐壓等級VDSS高達20V，最大連續(xù)漏極電流ID高達4.2A，確保強大的電流處理能力。尤其引人注目的是其低至48mR的導通電阻RD(on)，有效降低功率損耗，提升整體能效。DMP2120UMOS管憑借出色的開關性能、高電流承載能力和優(yōu)良的穩(wěn)定性，廣泛應用于電源轉(zhuǎn)換、電池管理、便攜式設備等多領域，是您電路設計的理想半導體組件。

ST2341SRG

SOT-23

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晶體管

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ST2341SRG是一款高效P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為低功耗及高集成度電路設計。其主要特點為工作電壓VDSS高達20V，能承載4.2A連續(xù)漏極電流，展現(xiàn)出強大的電力管理能力。器件的導通電阻RD(on)僅為48mR，有效減小功率損耗，提升整體能效。ST2341SRGMOS管憑借出色的開關性能、高電流承載力以及穩(wěn)定的運行表現(xiàn)，廣泛應用于電源轉(zhuǎn)換、電池保護、便攜式設備等領域，是您設計電路的理想半導體元件選擇。

DMP2305U

SOT-23

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晶體管

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DMP2305U是一款高效能P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為低功耗和高集成度的電子設計。其關鍵特性包括最大工作電壓VDSS為20V，可承載高達4.2A的連續(xù)漏極電流，體現(xiàn)卓越的電流處理能力。器件的導通電阻RD(on)僅為48mR，有效減少功率損耗，提高系統(tǒng)能效。DMP2305UMOS管憑借其出色的開關性能、高電流承載力及良好穩(wěn)定性，廣泛應用于電源轉(zhuǎn)換、電池管理、便攜式電子設備等領域，是您電路設計的理想半導體元件。

IRLML6402PBF

SOT-23

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IRLML6402PbF是一款高性能P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為高集成度、低功耗電路設計。產(chǎn)品特點包括工作電壓VDSS高達20V，具備4.2A連續(xù)漏極電流能力，展現(xiàn)出強大的電流處理性能。器件優(yōu)勢在于其極低的導通電阻RD(on)，僅為48mR，有效降低功耗，提升整體能效。IRLML6402PbFMOS管憑借出色的開關特性、高電流承載能力和卓越穩(wěn)定性，廣泛應用于電源轉(zhuǎn)換、電池管理、便攜式設備等領域，是您電路設計的理想半導體組件。

PMV48XP

SOT-23

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晶體管

3000個/圓盤

PMV48XP是一款高性能P溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝，專為高集成度和低功耗應用設計。其核心特性包括最大工作電壓VDSS為20V，具備4.2A的連續(xù)漏極電流處理能力，展現(xiàn)卓越的電流驅(qū)動性能。器件的導通電阻RD(on)僅為48mR，有利于降低系統(tǒng)功耗并提升能效。PMV48XPMOS管憑借其出色的開關特性、高電流承載力及良好的穩(wěn)定性，廣泛應用于電源轉(zhuǎn)換、電池保護、便攜式電子設備等眾多場景，是您進行高效電路設計的理想半導體組件選擇。

IRLML6402GPBF

SOT-23

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晶體管

3000個/圓盤

IRLML6402GPbF是一款高性能P溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，專為高效能、低功耗應用設計。其核心特性包括最高工作電壓VDSS為20V，能夠處理高達4.2A的連續(xù)漏極電流，凸顯卓越的電力管理性能。器件亮點是其超低的導通電阻RD(on)僅為48mR，有效節(jié)省能源并提升系統(tǒng)效率。得益于其出色的開關速度、高電流承載能力和穩(wěn)定的運行表現(xiàn)，IRLML6402GPbFMOS管廣泛應用在電源轉(zhuǎn)換、電池保護、便攜式電子設備等諸多領域，是您電路設計的理想半導體元件。

DMP2130L

SOT-23

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3000個/圓盤

DMP2130L是一款高性能P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝設計，專為高集成度和低功耗應用研發(fā)。其重要特性包括最大工作電壓VDSS為20V，可輕松承載4.2A連續(xù)漏極電流，展現(xiàn)出強大的電流處理能力。器件的導通電阻RD(on)低至48mR，有效減少功率損耗，提升系統(tǒng)能效。DMP2130LMOS管憑借其出色的開關性能、高電流承載力以及卓越的穩(wěn)定性，廣泛應用于電源轉(zhuǎn)換、電池管理、便攜式電子設備等多元領域，是您設計項目的理想半導體組件選擇。

DMN2004TK

SOT-523

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3000個/圓盤

DMN2004TK是一款采用精巧SOT-523封裝工藝的高品質(zhì)N溝道MOSFET。該器件具有卓越的耐壓性能，VDSS高達20V，并提供強大的電流承載能力，最大連續(xù)電流可達ID0.8A。其優(yōu)異的導通電阻僅為100mΩ，顯著降低功耗并提高轉(zhuǎn)換效率。此款MOS管特別適用于空間有限的電子設備，如充電器、電源管理模塊和消費類電子產(chǎn)品中，作為理想的開關元件或負載驅(qū)動組件。

Si2300DS-T1-GE3

SOT-23

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Si2300DS-T1-GE3是一款N溝道MOSFET，采用精巧的SOT-23封裝，專為緊湊型電路設計。器件支持20V的最大漏源電壓(VDSS)，并能穩(wěn)定處理6A的連續(xù)漏極電流(ID)，體現(xiàn)卓越的電流承載力。其導通電阻(RD(on))僅有22mΩ，有效減少功率損耗，提高能效表現(xiàn)。廣泛應用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、負載開關等領域，是您追求高集成度與低功耗半導體解決方案的理想選擇。

AO3419

SOT-23-3L

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AO3419P溝道MOS管，采用緊湊型SOT-23-3L封裝，適用于高集成度電路設計。該器件具有卓越的電氣性能，最大工作電壓VDSS為20V，連續(xù)電流ID可達4.1A，且擁有極低的導通電阻RD(on)，僅為34mR，大大提高了系統(tǒng)能效并減小功耗。廣泛應用于電源開關控制、電池保護、負載驅(qū)動等方面，以其出色的穩(wěn)定性和高效能，成為您電子設計工程的理想組件選擇。

MCH3479

SOT-323

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MCH3479是一款小巧的N溝道MOSFET，采用節(jié)省空間的SOT-323封裝，特別適用于高密度電路設計。該器件支持最大漏源電壓20V(VDSS)，并能提供穩(wěn)定的2A漏極電流(ID)，其亮點在于擁有49mΩ的低導通電阻(RD(on))，有效降低了系統(tǒng)功耗，提升了能效比。MCH3479MOS管廣泛應用于移動設備、電源控制、邏輯切換等領域，是小型化、節(jié)能電子產(chǎn)品設計的理想組件。

AO3423

SOT-23-3L

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3000個/圓盤

AO3423P溝道MOSFET，選用小巧型SOT-23-3L封裝，專為高效能、低功耗電路設計。該器件擁有出色電氣參數(shù)，最大工作電壓VDSS高達20V，可承受連續(xù)電流ID4.1A，而其優(yōu)秀的導通電阻僅34mR，有效降低了功率損耗并提升了系統(tǒng)效率。廣泛應用于電源管理、負載開關、電機驅(qū)動等領域，AO3423以卓越的性能表現(xiàn)和高度可靠性，成為電路設計師的理想元件選擇。

NTR5198NL

SOT-23

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NTR5198NLN溝道MOSFET采用輕巧的SOT-23封裝形式，專注于高效集成與節(jié)省空間的設計方案。該器件表現(xiàn)出色，具有60V的最大漏源電壓(VDSS)，能夠承載3A連續(xù)電流，并搭載超低導通電阻80mΩ，確保了卓越的能源效率和低發(fā)熱表現(xiàn)。廣泛應用在電源管理、電機驅(qū)動、開關電路等多元場景，以卓越的性能指標與高度可靠性，賦予您的電子產(chǎn)品更強的性能潛力。

FDN537N

SOT-23

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晶體管

3000個/圓盤

FDN537N是一款N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為現(xiàn)代高功率密度電子設計。該器件具有30V的漏源電壓(VDSS)，可承載最大5.8A的漏極電流(ID)，并具備出色的導通性能，導通電阻低至22mR(RD(on))。廣泛應用于開關電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動及各種高電流、高效能的電子系統(tǒng)，F(xiàn)DN537N憑借其卓越的電流處理能力和優(yōu)良能效，成為電路設計師們的可靠選擇。

DMN3070SSN

SOT-23

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晶體管

3000個/圓盤

DMN3070SSNN溝道MOSFET采用緊湊型SOT-23封裝，為高性能電子設備提供強大驅(qū)動力。本器件擁有30V的高擊穿電壓(VDSS)，能在滿載條件下承載高達5.8A的漏極電流(ID)，并憑借其出色的導通電阻22mR(RD(on))，實現(xiàn)卓越的電力傳輸效率。這款MOS管適用于開關電源、大電流電機驅(qū)動等高功率應用場景，是提高系統(tǒng)效能、節(jié)約能源的優(yōu)選半導體元件。

DMN6075S

SOT-23

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3000個/圓盤

DMN6075SN溝道MOSFET采用緊湊型SOT-23封裝，集高效與小巧于一體。該器件憑借卓越參數(shù)脫穎而出，包括60V的最大漏源電壓(VDSS)，3A連續(xù)drain電流能力以及低至80mΩ的導通電阻，有效保障了系統(tǒng)的高效率和低功耗運作。廣泛應用在電源轉(zhuǎn)換、負載開關、電機驅(qū)動等領域，以強大的性能表現(xiàn)和可靠品質(zhì)，為您的電路設計增添強勁動力。

DMN6140L

SOT-23

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晶體管

3000個/圓盤

DMN6140LN溝道MOS管采用精巧的SOT-23封裝，特別適應現(xiàn)代電子產(chǎn)品的小型化需求。本器件性能優(yōu)越，擁有60V的最大漏源電壓(VDSS)，可承受高達3A的連續(xù)電流，同時配備80mΩ的低導通電阻，確保在高功率應用中展現(xiàn)極佳的能效表現(xiàn)。廣泛應用于電源轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動、開關電路設計等多種場景，以強大的性能與穩(wěn)定的品質(zhì)，賦能您的電路設計，實現(xiàn)卓越性能與節(jié)能效果的雙重提升。

FDY302NZ

SOT-523

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晶體管

3000個/圓盤

FDY302NZ是一款選用緊湊型SOT-523封裝的優(yōu)質(zhì)N溝道MOS管，專為提升系統(tǒng)效率而設計。該器件具有穩(wěn)定的電氣性能，工作電壓VDSS高達20V，能夠支持連續(xù)電流ID高達0.8A，且在導通狀態(tài)下展現(xiàn)出色的低阻特性，RD(on)僅為100mR。這款MOS管廣泛應用在電源管理、馬達驅(qū)動、充電設備等場景中，以其優(yōu)良的性能表現(xiàn)和小尺寸封裝，助力您的電子產(chǎn)品實現(xiàn)更高能效比和更優(yōu)的空間利用率。

DMN2065UW

SOT-323

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晶體管

3000個/圓盤

DMN2065UW是一款精巧的N溝道MOSFET，采用微型SOT-323封裝，專為緊湊型電子設備設計。器件具備20V的最大漏源電壓(VDSS)，能穩(wěn)定驅(qū)動2A的連續(xù)漏極電流(ID)，且其出眾的導通電阻僅為49mΩ(RD(on))，確保了較低的功耗和較高的系統(tǒng)效率。這款MOS管廣泛應用于便攜式設備、電源管理和邏輯門控電路中，是實現(xiàn)小型化、高效能電路的理想選擇。

SM2314SRL

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

SM2314SRL是一款高性能N溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝，專為高功率密度和節(jié)能電子應用設計。該器件支持最大20V的漏源電壓(VDSS)，并能承載6A的連續(xù)漏極電流(ID)，憑借其低至22mΩ的導通電阻(RD(on))，確保了在高電流工作狀態(tài)下仍具有出色的能效和低功耗表現(xiàn)。廣泛應用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、電池保護等領域，是打造緊湊、高效電子設備的理想半導體元件。

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