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SOT-23-3L

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

BSS7728N是一款N溝道MOSFET，采用小型化封裝SOT-23-3L，專為緊湊型電子設備設計。器件具備60V的高耐壓（VDSS），能穩定傳輸0.3A的連續漏極電流（ID），并且具有優異的導通性能，導通電阻僅為1000mR，確保了低功耗和高效率運作。廣泛應用在電源轉換、負載開關控制、電機驅動等領域，是您優化電路性能的理想半導體元器件。

FDN358P

SOT-23

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晶體管

3000個/圓盤

FDN358P是一款P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，針對高效率、小尺寸電子設計。該器件具有30V的高工作電壓VDSS，提供穩定的4.1A電流ID，同時擁有48mR的低導通電阻，確保在中高功率應用中實現卓越的能效表現。廣泛運用于電源開關控制、電池保護及各類中等電流負載驅動場景，是電路設計者追求高效、節能解決方案的理想之選。

Si2307CDS-T1-GE3

SOT-23

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3000個/圓盤

Si2307CDS-T1-GE3是一款P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為高效能電子設計。該器件工作電壓VDSS高達30V，可承載4.1A連續電流，且擁有低至48mR的導通電阻，有效提高系統能效，降低能耗。適用于電源開關控制、電池保護和各類中等電流負載驅動應用，是工程師設計高集成度、低功耗方案的理想半導體元件。

DMG2307L

SOT-23

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晶體管

3000個/圓盤

DMG2307LMOS管是一款采用小型SOT-23封裝的高性能P溝道MOSFET，專為高效率電源管理和負載驅動設計。該器件具有30V的高耐壓值VDSS和4.1A的強大電流承載能力，配合48mR的低導通電阻，有效降低功耗并提升系統能效。廣泛應用于電池保護、電源開關控制以及各類中等電流負載驅動場合，是工程師在設計中尋求高性價比解決方案的理想選擇。

Si2307BDS-T1-GE3

SOT-23

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Si2307BDS-T1-GE3MOS管是一款采用SOT-23封裝的高性能P溝道MOSFET，專為緊湊型電子設計打造。該器件具有30V的高額定電壓VDSS和高達4.1A的連續電流ID，能夠在中高功率應用中展現穩定性能。其導通電阻低至48mR，有效提高能源利用效率。廣泛應用于電源管理、電池保護電路以及各類負載驅動場合，是實現高能效系統控制的理想半導體元件。

FDN360P

SOT-23

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FDN360PMOS管是一款采用經典SOT-23封裝的高質量P溝道半導體元件，工作電壓VDSS高達30V，確保在多種電源管理場景下穩定運行。器件提供4.1A的強大電流承載能力，且擁有48mR的低導通電阻，有效提升系統能效并降低功耗。適用于電池保護、電源開關控制及中等電流負載驅動等應用領域，是電路設計者實現高效可靠控制的理想之選。

ZXM61P03F

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ZXM61P03FMOS管是一款高性能P溝道MOSFET，采用小巧的SOT-23封裝形式，便于在有限空間內實現高效布局。該器件支持30V的最大工作電壓，可穩定輸出4.1A的連續電流，且具備出色的導通電阻值48mR，有效提升了能源轉換效率并降低了系統功耗。廣泛應用于電源轉換器、負載開關、電池管理系統等多個領域，是您追求卓越性能與節能設計的理想選擇。

NDS356AP

SOT-23

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NDS356APMOS管是一款高性能P溝道MOSFET，采用節省空間的SOT-23封裝，專為高密度電路設計。器件在30V的額定電壓下運行穩定，可承載最大4.1A的連續電流，憑借其卓越的48mΩ導通電阻，有效降低了系統能耗，提升了整體效率。廣泛適用于電源控制、負載開關以及電池管理系統等多種場合，是打造高效能、低功耗電子產品的理想之選。

ZVN4106F

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ZVN4106F是一款N溝道MOS管，采用小型化的SOT-23封裝，專為高集成度電子設計而生。該器件擁有60V的高擊穿電壓(VDSS)，支持0.3A的連續漏極電流(ID)，其導通電阻(RD(on))低至1000mR，確保在工作狀態下的低功耗和高效能表現。廣泛應用在電源轉換、負載開關電路及電機驅動等領域，是實現高可靠性、節能型電子系統的優質半導體組件。

RHK003N06

SOT-23-3L

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RHK003N06是一款N溝道MOSFET，采用小型SOT-23-3L封裝，專為現代緊湊型電子設備設計。該器件具備60V的高擊穿電壓(VDSS)，能安全處理0.3A的連續漏極電流(ID)，并具有優異的導通性能，導通電阻僅1000mR，有效減少能量損耗，提升系統效率。廣泛應用于電源轉換、負載開關控制、電機驅動等場景，是您實現高效、節能電路的理想半導體元件。

DMP3125L

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DMP3125LP溝道MOS管采用了節省空間的SOT-23封裝，具備30V的高擊穿電壓VDSS和4.1A的強勁連續電流ID，能滿足多種中高功率應用需求。其48mR的導通電阻有利于優化系統能效，降低功耗。這款MOS管常用于電源開關控制、電池保護電路以及中等電流負載驅動等場景，是電子設計中實現高效、可靠的電流管理的理想選擇。

Si2303CDS-T1-GE3

SOT-23

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Si2303CDS-T1-GE3是一款高效P溝道MOSFET，采用小巧的SOT-23封裝，便于在緊湊型電路設計中靈活使用。器件亮點在于擁有30V的最大漏源電壓(VDSS)，可穩定承載4.1A漏極電流(ID)，同時具備48mΩ的導通電阻(RD(on))，確保在低損耗狀態下實現高效能運作。此款MOS管廣泛應用于電源管理、負載開關、電機驅動等各種場景，是您提升系統性能和節能效果的理想選擇。

PMBF170

SOT-23

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PMBF170是一款N溝道MOSFET，采用業界標準的SOT-23封裝，適應各類緊湊型電路設計。器件可在60V的電壓下穩定工作，提供0.3A的連續漏極電流(ID)，并憑借1000mR的低導通電阻(RD(on))，確保高效能、低功耗運行。廣泛應用在電源轉換、負載開關、電機驅動等領域，是您優化系統性能、節能降耗的理想半導體組件。

BSS159N

SOT-23-3L

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BSS159N是一款N溝道MOSFET，采用節省空間的SOT-23-3L封裝，專為高密度電路設計。該器件具有60V的漏源電壓額定值(VDSS)，并能處理0.3A的連續漏極電流(ID)。其導通電阻僅為1000mR，確保在導通狀態下降低功耗，提高能源利用效率。適用于電源轉換、負載開關、電機驅動等應用場合，是實現高性能、低功耗半導體解決方案的理想選擇。

DMN62D0U

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DMN62D0U是一款高性能N溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝，適用于空間有限的設計項目。該器件擁有60V的高額定電壓VDSS，以及最大0.3A的連續漏極電流ID，同時具有出色的導通性能，導通電阻低至1000mR，有效降低功率損耗并提升系統效率。適用于各類電源轉換、負載開關及電機驅動等應用場景，是您電路設計的理想選擇。

DMN2230U

SOT-23

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DMN2230UMOS管是一款高品質N溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝設計，特別適合于緊湊型電路板布局。器件的核心參數優越，擁有20V的最大漏源電壓VDSS，以及2.3A的連續漏極電流ID，保證在高電壓下仍能實現大電流穩定傳輸。此外，該MOS管具備超低的導通電阻RD(on)僅48mR，大大降低了功耗，提高了能源利用率，是電源轉換、馬達控制和其他高效能電子應用的理想之選。

Si2302DDS-T1-GE3

SOT-23

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Si2302DDS-T1-GE3型號MOS管采用緊湊型SOT-23封裝，內含尖端N溝道技術，專為優化電路性能設計。器件支持20V的漏源電壓(VDSS)，可穩定處理2.3A的連續漏極電流(ID)，適用各類中小功率應用。其導通電阻僅為48mR(RD(on))，確保了低功耗和高效率運作。廣泛應用于電源管理、負載開關及低壓電子設備的開關控制，是提升產品能效比和可靠性的重要半導體組件。

AO3494

SOT-23

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AO3494是一款高效N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為高能效和低功耗電子應用設計。該器件具有20V的最大漏源電壓(VDSS)，并能穩定處理2.3A的連續漏極電流(ID)，其優秀的48mΩ導通電阻(RD(on))確保了在多種應用中都能實現低功耗和高電能轉換效率。廣泛應用于電源轉換、負載開關控制、電池保護電路等領域，是小型化、節能電子設備的理想半導體元件。

ZXMN2F34FH

SOT-23

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ZXMN2F34FH型號MOS管采用小型SOT-23封裝，內嵌高效N溝道技術，專為提升電路性能設計。該器件具有20V的漏源電壓(VDSS)，可穩定承載2.3A的連續漏極電流(ID)，適用于各種中小功率應用場合。其獨特的48mR低導通電阻(RD(on))，有效降低功率損耗，增強系統效率。廣泛應用于電源轉換、負載切換控制以及各類低壓電子設備的開關電路中，是您提升產品能效的理想半導體元件。

MVGSF1N02L

SOT-23-3L

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MVGSF1N02LN溝道MOSFET采用節省空間的SOT-23-3L封裝，特別適用于緊湊型電路設計。該器件具有20V的最大漏源電壓(VDSS)，可承載高達2.3A的連續漏極電流(ID)，并且在導通狀態下呈現出僅為48mR的低導通電阻(RD(on))，從而保證了高效的電能轉化和較低的功率損耗。這款MOS管廣泛運用于開關電源、電機驅動、智能設備等多種領域，是優化系統性能和節能減排的理想半導體元件。

ZXMN2A01F

SOT-23

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3000個/圓盤

ZXMN2A01F是一款N溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，適用于各類緊湊型電子設備設計。該器件具有20V的最大漏源電壓(VDSS)，能夠提供2.3A的穩定漏極電流(ID)，并且具有48mΩ的導通電阻(RD(on))，在小體積內實現了良好的電流控制與低功耗性能。此款MOS管常見于電源管理、負載開關、電機驅動等應用場合，是現代電子設備中不可或缺的高效能半導體元件。

ZXMN2B01F

SOT-23

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3000個/圓盤

ZXMN2B01FMOS管是一款高性能N溝道器件，采用緊湊型SOT-23封裝，適用于空間有限的設計方案。該元件具有出色的電氣性能，額定電壓VDSS高達20V，最大連續漏極電流ID為2.3A，能在高壓環境下穩定工作并提供強大的電流驅動能力。尤其值得一提的是，其導通電阻RD(on)低至48mR，有助于減少功率損耗，提高電路整體效率，廣泛應用于開關電源、馬達驅動及各類高效率電子設備中。

MGSF1N02LT1

SOT-23

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MGSF1N02LT1型號MOS管采用SOT-23小型封裝，集成高效N溝道技術，專為優化電路效率而研發。該器件支持高達20V的漏源電壓(VDSS)，能穩定處理2.3A的連續漏極電流(ID)，適用于各種中小功率應用場合。其48mR的低導通電阻(RD(on))顯著減少了功率損耗，提升了整體系統的效能表現。廣泛應用于電源轉換、負載開關以及低壓電子設備的開關控制電路中，是您追求高能效與穩定性半導體解決方案的理想之選。

MGSF2N02EL

SOT-23

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MGSF2N02EL是一款高效能N溝道MOS管，采用節省空間的SOT-23封裝形式，特別適用于緊湊型電路設計。該器件擁有穩定的20V漏源電壓VDSS，最大連續漏極電流可達2.3A，確保在高壓環境下也能提供卓越的電流承載能力。尤為突出的是其低至48mR的導通電阻RD(on)，有效減少能量損失，提升系統效能，廣泛應用于開關電源、馬達驅動及各類追求高效率的電子設備設計中。

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