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SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

該消費級P溝道MOSFET采用SOT-23封裝，額定電壓40V，具備5A強(qiáng)大電流承載力。具有低導(dǎo)通電阻與快速開關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于充電器、電源轉(zhuǎn)換等設(shè)備中，實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的功率控制與管理。

BSN20BKR

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

該款消費級N溝道MOSFET采用SOT-23封裝，額定電壓60V，額定電流0.3A，適用于低至中等功率應(yīng)用。具備低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，廣泛應(yīng)用于電池保護(hù)、信號切換等場合，實現(xiàn)精準(zhǔn)、高效的功率管理與控制。

NX3008NBK

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

該款消費級N溝道MOSFET采用SOT-23封裝，專為30V電壓系統(tǒng)設(shè)計，額定電流高達(dá)5A。具備優(yōu)越的低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于充電器、電源轉(zhuǎn)換器以及各類高效率電子設(shè)備中，實現(xiàn)精準(zhǔn)、可靠的功率控制與管理。

HS6334

SOP-8

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

這款消費級N溝道MOSFET采用SOP-8封裝，額定電壓30V，連續(xù)電流高達(dá)15A。適用于中等功率的電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載控制及電池管理系統(tǒng)應(yīng)用，具有出色的能效和空間利用率，為現(xiàn)代電子產(chǎn)品提供高效可靠的半導(dǎo)體解決方案。

IRLML0040TRPBF

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

該消費級N溝道MOSFET采用緊湊SOT-23封裝，額定電壓40V，支持5A連續(xù)電流。具備低導(dǎo)通電阻與快速開關(guān)性能，適用于充電器、電源轉(zhuǎn)換和高效能電子設(shè)備，提供穩(wěn)定可靠的功率控制解決方案。

HN6373

DFN-8L(3x3)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個/圓盤

這款消費級P溝道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封裝，額定電壓30V，具備高達(dá)50A的連續(xù)電流處理能力。專為緊湊型、高功率應(yīng)用設(shè)計，如電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)和電池管理系統(tǒng)，實現(xiàn)卓越的能效與空間利用率。

HN2288

DFN-8L(3x3)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個/圓盤

本款消費級N+N溝道MOSFET采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，具備雙通道驅(qū)動能力，額定電壓30V，連續(xù)電流高達(dá)30A。適用于高效電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載均衡和電池管理系統(tǒng)等應(yīng)用場合，提供卓越的集成度與能效表現(xiàn)。

3439KDW

SOT-363

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

該消費級MOSFET采用緊湊型SOT-363封裝，集成N+P溝道設(shè)計，額定電壓20V，最大連續(xù)電流0.8A，適用于低功耗電子設(shè)備的電源轉(zhuǎn)換和智能開關(guān)控制。其小巧體積與高效能特性為電路設(shè)計帶來靈活可靠的解決方案。

AON7422E

DFN-8L(3x3)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個/圓盤

這款消費級N溝道MOSFET采用極致緊湊的DFN3X3-8L封裝，額定電壓30V，峰值電流高達(dá)80A，具備卓越的功率密度與性能表現(xiàn)。專為小型化、高效率電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)控制以及電池管理系統(tǒng)設(shè)計，實現(xiàn)高性能與空間優(yōu)化的最佳平衡。

AO8810

TSSOP-8

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個/圓盤

這款雙N溝道消費級MOSFET采用節(jié)省空間的TSSOP-8封裝，專為高效能電路設(shè)計。擁有20V電壓額定值和單通道7A連續(xù)電流承載能力，適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、低電壓電源開關(guān)及負(fù)載控制應(yīng)用，提供低導(dǎo)通電阻和出色的性能表現(xiàn)，是現(xiàn)代電子設(shè)備的理想功率管理組件。

BSC066N06NS

DFN-8L(5x6)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個/圓盤

這款消費級N溝道MOSFET采用超小型DFN5X6-8L封裝，具備卓越的功率密度和散熱性能。工作電壓高達(dá)60V，連續(xù)電流可達(dá)80A，特別適合應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換、大電流開關(guān)控制及電池管理系統(tǒng)中，以緊湊設(shè)計實現(xiàn)強(qiáng)大電力驅(qū)動。

ST2304

SOT-23-3L

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

型號ST2304的N溝道MOS管，采用小型化SOT-23-3L封裝，極其適合于緊湊型電子設(shè)備設(shè)計。該器件具備強(qiáng)大的電性能參數(shù)，工作電壓VDSS高達(dá)30V，連續(xù)電流ID承載能力高達(dá)5.8A，確保在高負(fù)載條件下穩(wěn)定運行。其亮點在于超低導(dǎo)通電阻RD(on)，僅為22mR，有助于降低功耗，提升整體系統(tǒng)效能。廣泛運用于電源管理、開關(guān)調(diào)節(jié)、電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用領(lǐng)域，是工程師實現(xiàn)高效率、節(jié)能設(shè)計的理想選擇。

ST2304SRG

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

ST2304SRG是一款N溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，專為現(xiàn)代緊湊型電子設(shè)計打造。器件具備30V的最大漏源電壓(VDSS)，可在高效率下處理4A連續(xù)漏極電流(ID)，展現(xiàn)強(qiáng)大的電流處理能力。尤為突出的是，其導(dǎo)通電阻(RD(on))僅為29mΩ，確保在工作狀態(tài)下降低功耗，提升整體能效。此款MOS管廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動等領(lǐng)域，是您尋求高效、節(jié)能半導(dǎo)體解決方案的理想伙伴。

IPD90P03P4L-04

TO-252-2L

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

2500個/圓盤

這款TO-252-2L封裝的P溝道消費級MOSFET，專為大電流應(yīng)用設(shè)計。具備30V額定電壓和高達(dá)120A連續(xù)電流承載能力，尤其適用于電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)以及高功率開關(guān)電路，提供卓越的能效表現(xiàn)與散熱性能，是現(xiàn)代電子設(shè)備實現(xiàn)高效功率控制的理想組件。

IRF740

TO-220

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

50個/圓盤

這款N溝道消費級MOSFET采用經(jīng)典的TO-220封裝，專為處理高電壓大電流應(yīng)用設(shè)計。具備400V的擊穿電壓和11A連續(xù)電流能力，適用于各類電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動及開關(guān)控制場合，提供卓越的能效表現(xiàn)，是您高效可靠功率管理的理想選擇。

IRF7807ZTRPBF

SOP-8

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

該N溝道消費級MOSFET采用SOP-8封裝，專為30V電壓下的高效率應(yīng)用設(shè)計。具備8.5A連續(xù)電流承載能力，特別適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動和電池管理系統(tǒng)，具有低導(dǎo)通電阻與優(yōu)良熱特性，是現(xiàn)代電子產(chǎn)品中不可或缺的高性能功率開關(guān)器件。

DMN67D8L

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

DMN67D8L是一款高品質(zhì)N溝道MOSFET，采用節(jié)省空間的SOT-23封裝形式，適合高密度電路板設(shè)計。該器件提供60V的電壓耐受能力（VDSS），并可承載0.3A的連續(xù)漏極電流(ID)，且具有優(yōu)異的導(dǎo)電效率，導(dǎo)通電阻低至1000mR，有助于減少能量損耗并優(yōu)化系統(tǒng)效能。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電子負(fù)載控制以及其他要求嚴(yán)苛的開關(guān)電路中，是您優(yōu)化電路設(shè)計的理想之選。

DMN601K

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

這款DMN601KN溝道MOS管采用緊湊型SOT-23封裝，專為高效能、低功耗應(yīng)用設(shè)計。其核心參數(shù)包括額定電壓VDSS高達(dá)60V，連續(xù)漏極電流ID可達(dá)0.3A，具備優(yōu)秀的導(dǎo)通性能，導(dǎo)通電阻僅為1000mΩ，確保了在各種電路環(huán)境下的穩(wěn)定工作和低熱損耗，適用于電源管理、開關(guān)電路等多種場景。

BS870

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

BS870是一款N溝道MOSFET，采用經(jīng)濟(jì)實用的SOT-23封裝，適用于各類緊湊型電子設(shè)計。該器件提供了高達(dá)60V的漏源電壓(VDSS)，并能持續(xù)承載0.3A的漏極電流(ID)，其特色在于擁有1000mR的低導(dǎo)通電阻(RD(on))，有效降低能耗，提升系統(tǒng)效率。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、開關(guān)電路等領(lǐng)域，是實現(xiàn)高效能、低功耗應(yīng)用的理想半導(dǎo)體組件。

MMBF170-F

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

MMBF170-F是一款N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為現(xiàn)代電子產(chǎn)品的小型化設(shè)計打造。器件具有60V的高耐壓值(VDSS)，并能在系統(tǒng)中安全處理0.3A的連續(xù)漏極電流(ID)。其導(dǎo)通電阻僅為1000mR，有助于大幅度降低功耗，提升系統(tǒng)整體效能。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、開關(guān)電路等領(lǐng)域，是實現(xiàn)高效、節(jié)能電子方案的理想半導(dǎo)體元件。

DMN65D8LQ

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

DMN65D8LQ是一款高性能N溝道MOSFET，采用微型SOT-23封裝，專為現(xiàn)代緊湊型電子設(shè)備設(shè)計。器件具備60V的高耐壓（VDSS），可承載0.3A的連續(xù)漏極電流（ID），且其優(yōu)越的導(dǎo)通性能體現(xiàn)在低至1000mR的導(dǎo)通電阻（RD(on)）上，有效降低能耗，提升系統(tǒng)效能。廣泛應(yīng)用于電源管理、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動等電路中，是實現(xiàn)高效、節(jié)能應(yīng)用的理想半導(dǎo)體元件。

2N7002E-T1-E3

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

2N7002E-T1-E3N溝道MOS管采用小巧的SOT-23封裝，特別適合空間有限的設(shè)計項目。該器件支持高達(dá)60V的漏源電壓(VDSS)，并能提供0.3A的連續(xù)漏極電流(ID)，適用于低至中等電流級別的應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻RD(on)為1000mR，盡管相對較高，但在微小電流傳輸或信號控制方面表現(xiàn)出色。廣泛應(yīng)用于電源管理、邏輯電平轉(zhuǎn)換、低功率電路控制等領(lǐng)域，是微型化電子產(chǎn)品的理想選擇。

IRFH5302TRPBF

DFN-8L(5x6)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個/圓盤

這款N溝道消費級MOSFET采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，專為大電流應(yīng)用優(yōu)化。額定電壓30V，能承載高達(dá)150A的連續(xù)電流，尤其適用于電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)及高功率開關(guān)電路，具備卓越的導(dǎo)通性能與散熱設(shè)計，是現(xiàn)代電子設(shè)備實現(xiàn)高效能功率管理的理想選擇。

BSC042N03LSG

DFN-8L(5x6)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個/圓盤

該N溝道消費級MOSFET采用DFN5X6-8L封裝，專為高電流應(yīng)用設(shè)計。額定電壓30V，提供高達(dá)120A連續(xù)電流處理能力，適用于電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)及大功率開關(guān)電路，具有低導(dǎo)通電阻和卓越散熱性能，是現(xiàn)代電子設(shè)備實現(xiàn)高效能功率管理的理想之選。

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