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S9012

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

該款SOT-23封裝PNP型三極管，具有25V的高擊穿電壓VCEO和0.5A集電極電流能力，放大倍數范圍為120至400，適用于各類低功率、精密信號放大電路，提供優異的性能表現。

13001

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

該SOT-23封裝NPN型三極管，擁有420V超高耐壓VCEO及0.2A集電極電流，特別適用于高壓環境下的開關與低增益放大應用，其放大倍數在18至30之間，是高電壓、微電流電子設備的理想半導體組件。

BC817-40

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

該SOT-23封裝NPN型三極管，擁有45V高耐壓VCEO及0.5A集電極電流，具備出色的放大能力，放大倍數高達250至600，尤其適用于中等電壓、中等電流環境下的高增益放大應用，是精密電子電路設計的理想選擇。

MMBT3906

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

該SOT-23封裝PNP型三極管，擁有40V高耐壓VCEO和0.2A集電極電流，放大倍數在100至300之間可調，適用于中等電壓、微電流環境下的精密放大與開關電路設計，是您電子設備項目的理想半導體組件。

S9013

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

該SOT-23封裝的NPN型三極管，具備25V的VCEO耐壓和0.5A的集電極電流，放大倍數在120至400之間，適合于低功耗、高增益應用場合，適用于各類精密電子設備及電路設計，是您微型化項目中的理想半導體元件。

BCP56

SOT-223

MXsemi

晶體管

1000個/圓盤

該SOT-223封裝的NPN型三極管，具備80V高耐壓VCEO和1A集電極電流能力，放大倍數在63至250之間可調，適用于高壓、大電流環境下的開關及線性放大電路設計，是各類電子設備與工業控制應用的理想選擇。

2SC1623

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

該SOT-23封裝NPN型三極管，具備50V高耐壓VCEO和0.1A集電極電流能力，其放大倍數寬幅可調（90-600），專為中等電壓、微小電流環境下的高增益放大與開關應用設計，是精密電子設備及電路的理想半導體元件。

BC807-40

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

此款SOT-23封裝PNP型三極管，具有45V高耐壓VCEO和0.5A集電極電流，提供高達250至600的放大倍數，適用于中高壓、中等電流環境下的高效放大應用，是精密電子設備與電路設計的理想選擇。

S9014

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

該款SOT-23封裝NPN型三極管，具有45V高擊穿電壓VCEO及0.1A集電極電流承載力，放大倍數范圍寬廣（200-400），特別適用于要求高增益、低功耗的電子電路中，提供精密信號放大功能。

BC817-25

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

本款SOT-23封裝NPN型三極管，具有45V高耐壓VCEO及0.5A集電極電流能力，放大倍數范圍160至400，適用于中等電壓、中等電流環境下的高效放大與開關應用，是電子設備設計和制造的理想半導體器件。

S8050

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

此款SOT-23封裝的NPN型三極管，具有25V的高耐壓值VCEO及0.5A的集電極電流IC，其放大倍數穩定在200至300之間，適用于低功耗、高增益電路設計，是各類精密電子設備和小型化項目的優質選擇。

MMBT3904

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

本款SOT-23封裝NPN型三極管，具有40V高耐壓VCEO及0.2A集電極電流，放大倍數在100至300之間可調，專為中等電壓、微至小電流應用環境設計，是您進行精密放大與開關電路的理想半導體器件。

BSO130P03SH

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

BSO130P03SHP溝道MOSFET采用SOP-8封裝，專為大電流、高效能應用設計。器件亮點在于30V的最大漏源電壓(VDSS)，并能承載高達12A的連續電流，其卓越的導通電阻僅為10mΩ，極大地提高了系統能效與穩定性。廣泛適用于電源切換、電池管理系統、逆變器電路等各種大電流處理場合，以超強的性能和可靠性，為您的電路設計注入澎湃動力。

FDY301NZ

SOP-523

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

FDY301NZ是一款精心打造的N溝道MOS管，采用節省空間的SOT-523封裝技術。該器件的核心優勢在于其卓越的電氣性能指標，包括工作電壓VDSS高達20V，連續電流承載力ID達到0.8A，而導通電阻RD(on)僅為100mR，實現了低損耗、高效率運行。因其優秀的規格與小型化設計，FDY301NZMOS管尤其適用于電源轉換、電池管理系統以及其他對體積和效能要求嚴苛的電子設備中，以實現高效的功率控制和切換功能。

FDMC7680

DFN3X3-8L

MXsemi

晶體管

5000個/圓盤

FDMC7680是一款高性能N溝道MOSFET，采用超小型DFN3X3-8L封裝，專為高密度電路板設計。其關鍵特性包括30V的最大漏源電壓(VDSS)，并能在苛刻條件下提供驚人的60A連續漏極電流(ID)，展現了強大的電力處理能力。更值得關注的是，其導通電阻僅為6mΩ(RD(on))，確保了在大電流傳輸時依然保持較低的功率損耗。此款MOS管廣泛應用在電源轉換、快速充電技術、大電流開關電路等領域，是工程師追求高效能設計的理想之選。

MDV1542

DFN3X3-8L

MXsemi

晶體管

5000個/圓盤

型號MDV1542的N溝道MOS管，采用緊湊型DFN3X3-8L封裝工藝，特別適合于高密度電路板布局和空間有限的應用場景。該器件具有30V的額定電壓VDSS，能夠穩定傳輸高達100A的連續電流，展現了卓越的電力處理性能。其亮點在于僅為4mΩ的超低導通電阻RD(on)，極大地提升了系統能效，降低了功耗，廣泛適用于電源轉換、電機驅動、電池管理系統等領域，是您構建高效、節能電子設備的理想半導體元件選擇。

IRF9328PBF

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

IRF9328PbFP溝道MOSFET采用SOP-8封裝，專為高功率應用設計。器件特點在于30V的最大漏源電壓(VDSS)，具備高達12A的連續電流處理能力，并具有低至10mΩ的導通電阻，有效提高系統工作效率，減少能量損耗。廣泛應用于電源管理、逆變器、電機驅動等對電流處理要求高的場合，以出色的性能和可靠性，成為您優化電路設計的理想之選。

ZXMN3A06DN8

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

ZXMN3A06DN8是一款高性能N+N溝道MOSFET，采用緊湊型SOP-8封裝技術，專為現代電子設備提供高效能電流控制。其核心優勢在于最大工作電壓VDSS高達30V，支持6A的連續漏極電流，確保卓越的電力傳輸能力；導通電阻RD(on)僅為25mΩ，有效降低功率損耗，提升系統整體能效。廣泛應用于電源轉換、電機驅動、電池管理系統等場景，是您設計高集成度、節能電子產品的理想MOS管解決方案。

CSD17577Q3A

DFN3X3-8L

MXsemi

晶體管

5000個/圓盤

CSD17577Q3A是一款N溝道MOSFET，采用先進的DFN3X3-8L封裝技術，專為高功率密度和低功耗應用設計。該器件在30V電壓VDSS下穩定工作，能處理高達100A的連續電流，彰顯強大電力傳輸性能。其亮點在于業界領先的4mR超低導通電阻RD(on)，有效減少功率損耗，提升整體系統效率。CSD17577Q3A廣泛應用于電源轉換、電機驅動、以及其他需要高性能MOSFET的場合，是您構建高效節能電路的理想選擇。

SQ2310ES-T1_GE3

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

SQ2310ES-T1_GE3是一款高效N溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，專為高功率密度和低功耗電子設計。該器件具有20V的最大漏源電壓(VDSS)，并能穩定處理6A的連續漏極電流(ID)，搭配其出色的22mΩ導通電阻(RD(on))，確保了卓越的電能轉換效率和低功耗性能。廣泛應用于電源管理、電機驅動、電池保護系統等領域，是實現小型化、高性能電子解決方案的理想半導體組件。

SQ2348ES-T1_GE3

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

SQ2348ES-T1_GE3是一款N溝道MOSFET，采用經濟實用的SOT-23封裝，專為現代高效率電路設計。該器件具備30V的漏源電壓(VDSS)，能夠處理高達5.8A的連續漏極電流(ID)，并擁有出色的低導通電阻性能，僅為22mR(RD(on))。廣泛應用于開關電源轉換、電機驅動及多種高功率電子系統，這款MOS管憑借卓越的電流承載能力和高效能表現，成為您設計中的理想半導體元件。

Si2308BDS-T1-E3

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

Si2308BDS-T1-E3N溝道MOSFET采用小型化SOT-23封裝，專為高密度電子設計提供解決方案。此器件具備強大性能，工作電壓高達60V，連續輸出電流達3A，且擁有優秀的導通電阻僅為80mΩ，顯著提升系統效率并降低能耗。適用于電源轉換、負載開關以及電機驅動等廣泛應用領域，以卓越的品質與可靠的性能，助您的電路設計實現效能升級。

IRF7424TR

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

IRF7424TR是一款P溝道MOSFET，采用SOP-8封裝，專為高電流和高效率應用設計。器件支持最大30V的漏源電壓(VDSS)，并能安全處理高達12A的連續漏極電流，展現出強大的電流承載能力。其獨特的10mΩ超低導通電阻(RD(on))設計，有效提升了系統能效，降低了損耗。廣泛應用于電源轉換、電機驅動、大電流開關電路等領域，是高功率、高性能電子產品的重要組成部分。

ZXMN6A07F

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

ZXMN6A07FN溝道MOS管采用了節省空間的SOT-23封裝技術，為您的電路設計提供靈活高效的解決方案。該器件關鍵性能指標卓越，具備60V的最高漏源電壓(VDSS)，支持高達3A的連續電流，同時具有低至80mΩ的導通電阻，從而確保了在各種應用中的低功耗和高效能表現。廣泛應用于電源轉換、電機驅動、負載開關等場景，以出色的性能和信賴性，助力您的電子項目實現更高水準的性能優化。

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