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SOP-8

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

STS2DNF30L是一款高性能N+N溝道MOSFET，采用緊湊型SOP-8封裝，專為現代電子設備提供高效的功率控制解決方案。主要特性包括最大工作電壓VDSS高達30V，具備6A的連續漏極電流能力，確保強大電流處理性能；其25mΩ的低導通電阻RD(on)設計，有效降低功耗，提升整體能效。廣泛應用于電源轉換、電機驅動、電池管理系統等領域，是您追求高集成度與節能效果的理想MOS管選擇。

IRF7303PBF

SOP-8

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

IRF7303PbF是一款高性能N+N溝道MOSFET，采用緊湊型SOP-8封裝，專為現代電子設備設計，提供卓越的功率控制性能。其關鍵技術參數包括最大工作電壓VDSS為30V，可穩定處理6A的漏極電流，滿足高電流需求；導通電阻RD(on)僅為25mΩ，有效降低功耗并提升系統能效。廣泛應用于電源轉換、電機驅動、電池管理系統等領域，是您實現高集成度與節能目標的理想MOS管選擇。

SI4936CDY-T1-GE3

SOP-8

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

SI4936CDY-T1-GE3是一款高性能N+N溝道MOSFET，采用標準SOP-8封裝，專為現代電子設備提供強大電流處理能力。其核心優勢在于最大工作電壓VDSS高達30V，可承載6A連續漏極電流，滿足高功率需求；導通電阻RD(on)低至25mΩ，有效減少系統功耗，提高能效。廣泛應用于電源轉換、電機驅動、電池管理系統等領域，是您實現高效、節能設計的理想MOS管器件選擇。

FDY300NZ

SOT-523

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場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

FDY300NZ是一款采用緊湊型SOT-523封裝的高集成N溝道MOS管。它擁有出色的電氣特性，額定電壓VDSS高達20V，可承受最大連續電流ID0.8A，同時具備極低的導通電阻RD(on)，僅為100mR，有效保證了高效能運作和節能效果。這款MOS管廣泛適用于各種功率轉換、負載開關以及移動通信設備等領域，憑借其小巧尺寸與卓越性能，成為現代電路設計的理想之選。

IRLML0060PBF

SOT-23

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

這款IRLML0060PbFN溝道MOS管采用高效能SOT-23封裝，適用于緊湊型電路設計。具有出色的電氣性能，耐壓高達60V，連續電流可達3A，低至80mΩ的導通電阻，確保了設備在運行中的高效能與低損耗。其卓越的品質和可靠性適合于各類高端電源轉換、電機驅動及開關控制應用場合，是您優化系統性能的理想選擇。

Si2308CDS

SOT-23

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場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

Si2308CDSN溝道MOSFET采用精巧的SOT-23封裝，旨在滿足現代電子產品的小型化需求。該器件性能強大，具備60V的最大漏源電壓(VDSS)，可穩定承載3A電流，并具有低至80mΩ的導通電阻，有效保證了系統運行的高效率和低能耗。廣泛應用于電源管理、電機驅動、開關調節等多個領域，以出色的性能和高可靠性，賦能您的電路設計，實現卓越的系統性能表現。

AO4822A

SOP-8

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

AO4822A是一款高性能N+N溝道MOSFET，采用緊湊型SOP-8封裝，專為高電流應用場合設計。該器件特性出眾最大工作電壓VDSS高達30V，可輕松處理8.5A的連續漏極電流；其優秀的17mΩ導通電阻RD(on)，有效減少功率損耗，大幅度提升系統效能。廣泛應用于電源轉換、電機驅動、電池管理系統等領域，是您構建節能高效電子設備的理想MOS管解決方案。

AO4404B

SOP-8

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

AO4404BN溝道MOSFET采用緊湊型SOP-8封裝，專為高效能、大電流應用打造。器件提供30V的最大漏源電壓(VDSS)，具備8.5A的連續電流承載能力，且導通電阻僅14mΩ，確保在高壓大電流環境下仍能維持卓越的能效與低功耗。廣泛應用于電源轉換、電機驅動、負載開關等領域，以其出色的電流處理能力和穩定的電氣性能，成為您電路設計的理想選擇。

AOD2916

TO-252-2L

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場效應管(MOSFET)

2500個/圓盤

AOD2916是一款高性能N溝道MOSFET，采用TO-252-2L封裝，專為滿足高電壓、大電流應用需求而設計。工作電壓高達100V，連續電流承載能力高達30A，特別適用于電源轉換、電機驅動等場景。其導通電阻僅為35mΩ，確保在大電流運行時仍能保持卓越的能效和較低的功率損耗。AOD2916MOS管是構建高效率、高穩定性電子設備的理想選擇。

SIR468DP-T1-GE3

DFN-8L(5x6)

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場效應管(MOSFET)

5000個/圓盤

SIR468DP-T1-GE3是一款采用小型化DFN5X6-8L封裝的高性能N溝道MOSFET，專為高效能和空間敏感型設計而生。該器件在30V的電壓VDSS下穩定工作，能提供高達80A的連續電流，充分滿足高電流應用的需求。其亮點在于僅4.3mR的超低導通電阻RD(on)，有效減少能量損耗，提高整體能效。無論在電源轉換、馬達驅動還是其他大電流負載控制場合，SIR468DP-T1-GE3都是理想的半導體元件解決方案。

NTMFS4925N

DFN-8L(5x6)

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場效應管(MOSFET)

5000個/圓盤

NTMFS4925N是一款N溝道MOSFET，采用節省空間的DFN5X6-8L封裝，專為高功率密度和低能耗應用設計。本器件能在30V的電壓VDSS下穩定工作，提供高達80A的連續電流，凸顯出強大的電流處理能力。其亮點在于導通電阻RD(on)僅為4.3mR，確保了卓越的能效表現，有效降低功耗。NTMFS4925N適用于電源轉換、電機驅動、及其他對功率和效率有較高要求的場景，是現代電子系統設計的理想半導體組件。

NTMFS4941N

DFN-8L(5x6)

MXsemi

場效應管(MOSFET)

5000個/圓盤

NTMFS4941N是一款采用緊湊型DFN5X6-8L封裝的高性能N溝道MOSFET，特別適用于空間有限且需高效能轉換的應用場景。該器件能在30V的最大電壓VDSS下穩定運行，提供高達80A的連續電流，展現出卓越的電流承載能力。其導通電阻RD(on)低至4.3mR，確保了最小的功率損耗和最高的能效表現。無論在電源管理、電機驅動、或者其他大電流應用領域，NTMFS4941N都是您理想的半導體解決方案。

NVTFS5C466NL

DFN-8L(3x3)

MXsemi

場效應管(MOSFET)

5000個/圓盤

NVTFS5C466NL是一款N溝道MOSFET，采用先進DFN3X3-8L封裝，適宜空間有限的設計需求。器件提供40V的漏源電壓(VDSS)，支持高達60A的連續漏極電流(ID)，并具有低至6.9mΩ的導通電阻(RD(on))，確保在高功率應用中實現高效能和低損耗。適用于電源轉換、電機驅動、電池管理系統等多種場景，是優化系統性能和節能效果的理想半導體元件選擇。

NTMFS4939N

DFN-8L(5x6)

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場效應管(MOSFET)

5000個/圓盤

NTMFS4939N是一款N溝道MOSFET，采用小型化DFN5X6-8L封裝，專為高效能、緊湊空間設計。在30V電壓VDSS下穩定工作，提供高達80A的連續電流處理能力，適用于大電流應用場景。其核心優勢在于4.3mR的超低導通電阻RD(on)，大大提升了系統能效，降低了功耗。無論是在電源轉換、電機驅動、還是其他高效率要求的場合，NTMFS4939N都是您理想的半導體解決方案。

AON6576

DFN-8L(5x6)

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場效應管(MOSFET)

5000個/圓盤

AON6576是一款N溝道MOSFET，采用緊湊型DFN5X6-8L封裝設計，專為高效率和小型化電子系統打造。該器件能夠在30V的電壓VDSS下穩定工作，提供高達80A的連續電流，滿足大電流應用場景需求。其核心優勢在于僅4.3mR的超低導通電阻RD(on)，大幅度降低了功率損耗，提高了系統能效。AON6576廣泛適用于電源轉換、電機驅動、以及其他要求高效節能的半導體應用領域。

FDS8949

SOP-8

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

FDS8949是一款高性能N+N溝道MOSFET，采用緊湊型SOP-8封裝，專為高效率、高集成度的電子設計打造。該器件提供了40V的額定電壓VDSS，可承載12A連續電流ID，展現出強大的電力處理性能。其導通電阻RD(on)僅為16mΩ，有效降低了系統能耗，提升了整體能效。FDS8949適用于電源轉換、負載開關控制以及中等電流驅動等各種應用環境，是實現低損耗、高效率電路設計的理想半導體器件。

NTMD3P03

SOP-8

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

NTMD3P03型號MOS管，采用先進的P+P溝道技術，封裝于小型化SOP-8外殼，以其優良的集成性和空間利用率備受青睞。該器件工作穩定，額定電壓VDSS高達30V，可持續提供5.3A的大電流處理能力，同時具有優秀的導通電阻RD(on)，低至35mR，顯著提升工作效率，降低能耗。此款MOS管廣泛適應于電源管理、馬達驅動等多種應用場景，助您實現系統性能升級與節能目標。

IRLR2703

TO-252-2L

MXsemi

場效應管(MOSFET)

2500個/圓盤

IRLR2703是一款高性能N溝道MOSFET，采用標準TO-252-2L封裝，專為處理大電流和高效率應用而設計。器件具有30V的最大漏源電壓(VDSS)，并且可以安全地傳導高達20A的連續漏極電流，展現強大的電流傳送能力。其亮點在于僅15mΩ的超低導通電阻(RD(on))，從而實現卓越的能源轉換效率和減少功率損耗。廣泛應用于電源轉換、電機驅動、大電流開關電路等多個領域，是您構建高效、可靠電子系統的理想半導體組件。

FDS6912A

SOP-8

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

FDS6912A型MOS管是一款高性能的N+N溝道半導體器件，采用SOP-8封裝形式，結構緊湊，便于在各種電路板中靈活布局。該器件擁有30V的高額定電壓VDSS，以及高達8.5A的連續電流ID能力，表現出強勁的電能處理性能。特別值得一提的是，其優異的導通電阻僅17mR，有助于大幅度降低系統損耗，提升整體工作效率。此款MOS管廣泛適用于電源轉換、電機驅動等領域，經嚴格品質把控，確保每一片都具備出色的穩定性和耐用性。

SM4953PRL

SOP-8

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

SM4953PRL型MOS管選用高品質P+P溝道工藝，采用精巧SOP-8封裝形式，為現代電子設備提供卓越的空間利用率。本器件電壓耐受力出眾，額定VDSS值為30V，能夠承受5.3A的連續漏極電流，而其優異的導通電阻僅為35mR，確保了在運行過程中的低功耗與高效率表現。此款MOS管廣泛運用于電源控制、電機驅動等場景，是提升系統整體效能的理想半導體組件。

IPD30N06S2L-23

TO-252-2L

MXsemi

場效應管(MOSFET)

2500個/圓盤

IPD30N06S2L-23是一款高功率N溝道MOSFET，封裝類型為TO-252-2L，專為高密度電源應用設計。該器件提供60V的最大漏源電壓(VDSS)，并能在滿載下處理50A的強大連續電流(ID)，且擁有優秀的導通特性，導通電阻僅為15mR(RD(on))，從而大大減少了功率損耗，提高了系統效率。廣泛應用于開關電源、電池管理系統、電機驅動等對效率要求較高的場合。

BSS314PEH6327

SOT-23

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

該P溝道消費級MOSFET采用SOT-23封裝，適用于30V電壓環境下的高效電源轉換和負載控制。器件提供4.1A連續電流處理能力，具有低導通電阻特性，特別適應于便攜式設備的電池管理系統，是實現節能與可靠功率管理的理想半導體元件。

SM6366ED1RL

DFN-8L(5x6)

MXsemi

場效應管(MOSFET)

5000個/圓盤

SM6366ED1RL型號N溝道MOS管，采用DFN5X6-8L封裝設計，兼具小型化與高效散熱功能，特別適合現代高密度電子設備應用。器件擁有30V額定電壓VDSS，提供高達120A連續電流ID處理能力，展現卓越的電力控制性能。其3.5mR超低導通電阻，有效提高能源效率并減少系統損耗。

NTMFS4937N

DFN-8L(5x6)

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場效應管(MOSFET)

5000個/圓盤

NTMFS4937N型號N溝道MOS管，采用緊湊型DFN5X6-8L封裝技術，專為高密度、高性能電子設備設計。該器件具備30V的額定電壓VDSS，支持高達120A的連續電流ID，展現強大電力處理實力。其卓越的3.5mR導通電阻，助力實現超高能效，減少不必要的系統損耗。

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