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DFN-8L(5x6)

MXsemi

場效應管(MOSFET)

5000個/圓盤

CSD17581Q5A型號N溝道MOS管采用DFN5X6-8L封裝，小巧輕便，散熱性能佳，適用于高集成度電路設計。器件額定電壓VDSS為30V，可承載高達120A的連續電流ID，展現卓越的功率處理能力。其突出特點是導通電阻低至3.5mR，有助于提升系統能效并降低功耗。

SIRA12DP-T1-GE3

DFN-8L(5x6)

MXsemi

場效應管(MOSFET)

5000個/圓盤

SIRA12DP-T1-GE3型號N溝道MOS管，采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，兼顧小型化與高效散熱性能，特別適合于高集成度電路設計。器件支持30V額定電壓VDSS，提供高達120A的連續電流ID，展現了卓越的功率處理能力。其導通電阻僅為3.5mR，極大提升了能源轉換效率，降低了系統損耗。

IRFH8324PBF

DFN-8L(5x6)

MXsemi

場效應管(MOSFET)

5000個/圓盤

IRFH8324PbF型號N溝道MOS管，采用先進的DFN5X6-8L封裝形式，結合了高效散熱與小型化特點。器件額定電壓VDSS為30V，支持高達120A的連續電流ID，展現了卓越的功率處理能力。其低至3.5mR的導通電阻，有效提升了能源轉換效率，減少了系統損耗。廣泛應用在快速充電設備、大電流開關電源等領域，出廠前歷經嚴格質量測試，確保在各類苛刻環境中提供穩定、高效的性能輸出。

FDS6930B

SOP-8

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

FDS6930B是一款高性能N+N溝道MOSFET，采用標準SOP-8封裝，專為現代高功率密度電子設備提供卓越的電流處理能力。其關鍵特性包括最大工作電壓VDSS高達30V，可穩定傳導6A的漏極電流；得益于其25mΩ的超低導通電阻RD(on)，顯著降低了系統功耗，提升了整體能效。廣泛應用于電源轉換、電機驅動、電池管理系統等領域，是您追求高效率與節能設計的理想MOS管器件選擇。

SI1012X-T1-GE3

SOT-523

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

SI1012X-T1-GE3是一款采用先進SOT-523封裝技術的高性能N溝道MOS管。器件具有強大而穩定的電氣性能，額定電壓VDSS高達20V，可持續提供0.8A的最大電流ID，同時擁有出色的導通電阻RD(on)低至100mR，確保高效低耗運行。這款MOS管廣泛應用于各類電源轉換、負載驅動、便攜設備以及智能硬件領域，憑借其卓越的性能和緊湊封裝，為用戶在設計過程中實現最佳的功率管理方案。

SM95N03AD1RL

DFN-8L(5x6)

MXsemi

場效應管(MOSFET)

5000個/圓盤

SM95N03AD1RL是一款N溝道MOSFET，采用小型化DFN5X6-8L封裝，專為高密度、高性能電路設計。該器件能在30V電壓VDSS下穩定工作，提供高達80A的連續電流，確保強大而穩定的電力傳輸。其獨特優勢在于擁有4.3mR的超低導通電阻RD(on)，有效降低了功率損耗，提高了整體能效。SM95N03AD1RL適用于電源轉換、電機驅動、以及其他要求高效低耗的半導體應用領域。

FDMS0312AS

DFN-8L(5x6)

MXsemi

場效應管(MOSFET)

5000個/圓盤

FDMS0312AS是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型DFN5X6-8L封裝技術，專為高效率、低功耗應用設計。在30V電壓VDSS下，該器件能夠穩定處理高達80A的連續電流，體現卓越的電流承載能力。其關鍵特性在于僅有4.3mR的超低導通電阻RD(on)，顯著提升能效，減少系統損耗。FDMS0312AS適用于電源轉換、電機驅動、以及其他需要高效半導體組件的場合。

NVTFS015N04C

DFN-8L(3x3)

MXsemi

場效應管(MOSFET)

5000個/圓盤

NVTFS015N04CN溝道MOS管采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，提供出色的散熱性能和空間節省優勢。該器件支持40V的工作電壓VDSS，具備處理60A連續漏極電流ID的能力，特別適用于高電流應用。其導通電阻RD(on)低至6.9mΩ，顯著減少系統功率損耗，提升整體能效。廣泛應用在電源轉換、電機驅動、新能源等領域，NVTFS015N04CMOS管是實現高效、節能半導體解決方案的關鍵組件。

NVTFWS015N04C

DFN-8L(3x3)

MXsemi

場效應管(MOSFET)

5000個/圓盤

NVTFWS015N04CN溝道MOS管采用小型DFN3X3-8L封裝，集成了高效散熱和空間優化特性。器件支持40V工作電壓VDSS，能夠承載60A的大電流ID，特別適應于高電流應用場合。其核心亮點在于導通電阻RD(on)僅為6.9mΩ，助力系統降低功耗、提升能效表現。廣泛應用于電源轉換、電機驅動等領域，NVTFWS015N04CMOS管是設計者實現高效、節能方案的理想半導體元件選擇。

DMP3020LSS

SOP-8

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

DMP3020LSS是一款采用SOP-8封裝的高性能P溝道MOS管，專為高效能應用設計。其擁有30V的漏源電壓VDSS和11A的連續電流ID承載力，尤其適合于中大電流開關電路。導通電阻RD(on)低至12.5mR，有效減少了功率損耗，提升了整體能效。廣泛應用于電源轉換、電機驅動、電池保護模塊等領域，是實現低損耗、高效率電路的理想選擇。

FDS6670A

SOP-8

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

FDS6670A是一款高性能N溝道MOSFET，采用SOP-8封裝形式，專為高效率、大電流應用設計。該器件擁有30V的最大漏源電壓VDSS，可承載高達18A的連續漏極電流ID，確保在高功率系統中保持穩定性能。其獨特之處在于其超低導通電阻RD(on)僅為5.5mΩ，有效降低功率損耗，提升整體能效。FDS6670AMOS管適用于電源轉換、電機驅動及其它高電流場合，以卓越的電氣性能為您的設計帶來更高水準的可靠性與效率。

MX150N03NF

DFN-8L(5x6)

MXsemi

場效應管(MOSFET)

5000個/圓盤

此款消費級N溝道MOSFET采用DFN5X6-8L封裝，具備30V額定電壓和高達150A連續電流承載能力。專為高效電源轉換、大電流負載控制及電池管理系統設計，提供卓越的功率密度與散熱性能，實現現代電子產品的小型化與高性能需求。

IRFR1205TRPBF

TO-252-2L

MXsemi

場效應管(MOSFET)

2500個/圓盤

本款消費級N溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，具備60V的漏源電壓和30A的最大連續電流，適用于各類高效電源轉換、電機驅動及中高功率開關控制場合。憑借卓越的性能與穩定性，為電路設計提供強大動力支持。

SI4435DYTRPBF

SOP-8

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

本款消費級P溝道MOSFET封裝于SOP-8，特別適用于空間有限的電路設計。額定電壓30V，可承載最大連續電流11A，是電源轉換、負載切換以及防止反向電流的理想選擇，助力電子產品實現高效能、低損耗的功率管理。

IRF7416TRPBF

SOP-8

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

這款消費級P溝道MOSFET采用緊湊型SOP-8封裝，專為30V電壓系統設計，具有高達9A的連續電流處理能力。器件具備出色的開關效率與低導通電阻特性，廣泛應用在電池保護、電源管理及高功率負載切換等領域，是提升電子設備能效的理想選擇。

IRFR024NTRPBF

TO-252-2L

MXsemi

場效應管(MOSFET)

2500個/圓盤

本款消費級N溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，額定電壓60V，提供強大的30A電流處理能力。適用于各類中高壓開關應用場合的消費電子產品，具備高效能、低導通電阻和卓越的系統穩定性，是電源轉換與負載驅動的理想之選。

AO4402

SOP-8

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

這款消費級N溝道MOSFET采用SOP-8封裝，具有20V額定電壓及高達20A連續電流。專為中等功率電子設備設計，應用于電源轉換、負載控制和電池管理系統，以緊湊體積提供高效能半導體解決方案。

AOD558

TO-252-2L

MXsemi

場效應管(MOSFET)

2500個/圓盤

這款消費級N溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，額定電壓30V，最大連續電流高達80A，專為高功率電子設備設計，如電源轉換器和電機驅動系統，提供出色的開關性能及低損耗表現。

FDD306P

TO-252-2L

MXsemi

場效應管(MOSFET)

2500個/圓盤

該消費級N溝道MOSFET封裝為TO-252-2L，具備20V電壓額定值及高達60A的連續電流處理能力，專為高電流應用場景設計，如電源轉換、大功率負載控制，實現高效能、低損耗開關操作。

NTD25P03LG

TO-252-2L

MXsemi

場效應管(MOSFET)

2500個/圓盤

此款消費級P溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，額定電壓30V，可穩定承載20A電流。專為低壓、高效率的消費電子開關應用設計，提供出色的導通性能和能效表現，是提升電源轉換系統性能與可靠性的理想半導體組件。

SM4286T9RL

TO-252-2L

MXsemi

場效應管(MOSFET)

2500個/圓盤

該消費級N溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，具備100V高耐壓及20A連續電流處理能力，專為高性能電子設備設計，應用于電源轉換、電機驅動等領域，提供低損耗、高效能的開關控制功能。

MX4410S

SOP-8

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

本款消費級N溝道MOSFET采用SOP-8封裝，額定電壓30V，連續電流高達15A。專為中等功率應用設計，如電源轉換、負載開關控制及電池管理系統，具有高效率與緊湊體積，是現代電子設備的理想集成組件。

MX4407S

SOP-8

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

此款消費級P溝道MOSFET采用小型化SOP-8封裝，專為30V電壓環境設計，提供高達12A的連續大電流處理能力。器件具備卓越的低導通電阻和快速開關性能，廣泛應用于電池保護、電源轉換器以及高效能電子設備的功率控制解決方案中。

HS1195

SOP-8

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

這款消費級P+P溝道MOSFET采用SOP-8封裝，專為30V系統設計，具備雙P溝道結構以實現高效能正向導通。額定電流高達8.5A，適用于電池保護、電源切換等應用場景，憑借其出色的低導通電阻與快速開關性能，成為現代電子設備理想的高功率控制元件。

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