場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
Si2304DDS-T1-GE3是一款高效能N溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，適合空間有限的電路設(shè)計(jì)。該器件提供了30V的最大漏源電壓(VDSS)，并可支持4A連續(xù)漏極電流(ID)，確保出色的電流處理性能。其導(dǎo)通電阻(RD(on))低至29mΩ，有效減小功耗，提升系統(tǒng)效率。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)等多種場(chǎng)景，是您的高集成度、節(jié)能型半導(dǎo)體解決方案的理想選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
NDS351AN是一款高效的N溝道MOS管，采用緊湊型SOT-23封裝設(shè)計(jì)，特別適合空間有限且需高性能的應(yīng)用環(huán)境。該器件支持最大漏源極電壓VDSS為30V，并能在持續(xù)狀態(tài)下處理高達(dá)4A的漏極電流。其核心技術(shù)亮點(diǎn)是極低的29mΩ導(dǎo)通電阻RD(on)，大大提升了能源利用效率，減小了系統(tǒng)損耗。廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及各類(lèi)負(fù)載開(kāi)關(guān)場(chǎng)合，是您追求高性能與節(jié)能效果的理想半導(dǎo)體組件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
FDN361BNN溝道MOS管采用緊湊型SOT-23封裝，實(shí)現(xiàn)小巧尺寸與高性能的完美融合。器件在30V的VDSS下穩(wěn)定工作，可承載高達(dá)4A的連續(xù)漏極電流，表現(xiàn)出色。其核心優(yōu)勢(shì)在于29mΩ的超低導(dǎo)通電阻RD(on)，顯著優(yōu)化系統(tǒng)效率，降低能耗，適用于各類(lèi)要求嚴(yán)苛的電源開(kāi)關(guān)、負(fù)載切換以及電池管理系統(tǒng)，是工程師高效能設(shè)計(jì)的理想之選。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
BSH108是一款N溝道MOSFET，采用小巧的SOT-23封裝，專(zhuān)為現(xiàn)代高密度電子設(shè)計(jì)提供靈活解決方案。其關(guān)鍵性能參數(shù)包括最大工作電壓VDSS高達(dá)30V，支持4A的連續(xù)漏極電流，確保強(qiáng)大驅(qū)動(dòng)力；導(dǎo)通電阻RD(on)低至29mΩ，實(shí)現(xiàn)高效能與低功耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，是您追求高性能與節(jié)能效果的理想MOS管器件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
Si2304BDS-T1-GE3是一款高性能N溝道MOSFET，采用SOT-23封裝，專(zhuān)為緊湊型電子設(shè)備設(shè)計(jì)。器件具有30V的最大漏源電壓(VDSS)和4A連續(xù)漏極電流(ID)，提供強(qiáng)大的電流處理能力。其低至29mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))，有利于降低系統(tǒng)功耗并提高能效。適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)等多種應(yīng)用場(chǎng)合，是追求高集成度與節(jié)能效果的理想半導(dǎo)體組件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
Si2316BDS-T1-GE3是一款高效能N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專(zhuān)為現(xiàn)代微小化電子設(shè)計(jì)。其關(guān)鍵特性包括30V的最大漏源電壓(VDSS)，能承載4A連續(xù)漏極電流(ID)，確保強(qiáng)大的電流處理能力。導(dǎo)通電阻(RD(on))僅為29mΩ，有效減少功耗，提升系統(tǒng)能效比。這款MOS管廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景，以卓越的性能與穩(wěn)定性成為高集成度、低功耗解決方案的理想組件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
ZXM61N03F是一款高性能N溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝，特別針對(duì)空間有限的電路設(shè)計(jì)需求。器件可在30V的VDSS電壓下穩(wěn)定工作，提供4A的連續(xù)漏極電流，展現(xiàn)強(qiáng)大電力處理能力。其亮點(diǎn)在于僅為29mΩ的低導(dǎo)通電阻RD(on)，有效提升系統(tǒng)能效，降低功耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)等場(chǎng)景，是實(shí)現(xiàn)高效率、小型化電子設(shè)備設(shè)計(jì)的理想半導(dǎo)體元件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
BSS316N是一款N溝道MOSFET，采用節(jié)省空間的SOT-23封裝，適用于緊湊型電路設(shè)計(jì)。器件支持高達(dá)30V的最大漏源電壓(VDSS)，并能安全處理4A連續(xù)漏極電流(ID)，展現(xiàn)出優(yōu)越的電流承載能力。其29mΩ的低導(dǎo)通電阻(RD(on))意味著在運(yùn)行中將有效減少功耗，提升系統(tǒng)能效。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)等各類(lèi)電子設(shè)備，是高集成度與節(jié)能性能的理想半導(dǎo)體組件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
SM2306SRL是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，特別適用于小型化電子設(shè)備的設(shè)計(jì)需求。該器件關(guān)鍵特性包括最大工作電壓VDSS高達(dá)30V，提供穩(wěn)定的4A漏極電流輸出；其低至29mΩ的導(dǎo)通電阻RD(on)確保了卓越的能效和低功耗表現(xiàn)。廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池充電控制器等場(chǎng)合，是您追求高集成度和節(jié)能效果的理想MOS管解決方案。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
ZXMN3A01F是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專(zhuān)為高效、節(jié)省空間的設(shè)計(jì)方案打造。該器件能在30V的VDSS電壓下穩(wěn)定運(yùn)行，提供4A的最大連續(xù)漏極電流，滿足高功率需求。其導(dǎo)通電阻RD(on)低至29mΩ，有效提升能源轉(zhuǎn)換效率，降低損耗。廣泛適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)等各種場(chǎng)合，是實(shí)現(xiàn)高性能、節(jié)能電子設(shè)計(jì)的理想半導(dǎo)體元件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
NDS355AN是一款N溝道MOSFET，采用精巧的SOT-23封裝，專(zhuān)為現(xiàn)代高集成度電子設(shè)計(jì)打造。該器件在30V的VDSS電壓下運(yùn)行穩(wěn)定，可提供高達(dá)4A的連續(xù)漏極電流，展現(xiàn)強(qiáng)勁電力處理性能。其導(dǎo)通電阻RD(on)僅為29mΩ，極大提高了能源轉(zhuǎn)換效率，降低了系統(tǒng)損耗。適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)等多種應(yīng)用場(chǎng)景，是兼顧高效能與小型化的理想半導(dǎo)體解決方案。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
MGSF1N03LT1是一款高品質(zhì)N溝道MOSFET，采用節(jié)省空間的SOT-23封裝形式，尤其適合現(xiàn)代緊湊型電路設(shè)計(jì)。器件具有30V的VDSS耐壓值，能夠承受4A的連續(xù)漏極電流，表現(xiàn)卓越。其突出特點(diǎn)是僅29mΩ的超低導(dǎo)通電阻RD(on)，有效提高系統(tǒng)能效，降低損耗。此款MOS管適用于多種場(chǎng)景如電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)控制等，以其高性能與節(jié)能特性成為眾多電子設(shè)計(jì)的理想元件選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
DMN3051L是一款N溝道MOSFET，采用小巧的SOT-23封裝形式，適宜緊湊型電路布局需求。其關(guān)鍵參數(shù)包括30V的最大漏源電壓(VDSS)，可穩(wěn)定承載4A的連續(xù)漏極電流(ID)，充分滿足中高功率應(yīng)用場(chǎng)景。獨(dú)特之處在于其29mΩ的低導(dǎo)通電阻(RD(on))，有助于提高系統(tǒng)效率，減少能耗損失。DMN3051LMOS管以其優(yōu)良的電氣性能，廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)及各種便攜式電子設(shè)備的電路設(shè)計(jì)中。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
Si2306BDS-T1-GE3是一款N溝道MOSFET，采用輕巧的SOT-23封裝，專(zhuān)為高集成度電路設(shè)計(jì)。器件提供30V的最大漏源電壓(VDSS)，并可承載4A的連續(xù)漏極電流(ID)，確保穩(wěn)定可靠的功率傳輸。其導(dǎo)通電阻(RD(on))僅為29mΩ，顯著降低系統(tǒng)功耗，提升整體能效。這款MOS管憑借優(yōu)秀的電氣性能，廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等多種電子設(shè)備中，是緊湊且高效能半導(dǎo)體解決方案的理想選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
NTR4503N是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專(zhuān)為高效率和空間敏感的設(shè)計(jì)方案量身定制。該器件支持高達(dá)30V的漏源極電壓(VDSS)，并能承載4A的連續(xù)漏極電流(ID)，展現(xiàn)卓越的電流處理性能。尤其引人注目的是，其29mΩ的超低導(dǎo)通電阻(RD(on))，使得系統(tǒng)能耗更低，效率更高。適用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等多種場(chǎng)合，是追求效能與節(jié)能的最佳半導(dǎo)體組件選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
DMP3160L是一款P溝道MOSFET，采用節(jié)省空間的SOT-23封裝，適用于各種緊湊型電路設(shè)計(jì)。該器件具有30V的高耐壓值VDSS，能穩(wěn)定輸出4.1A電流，且導(dǎo)通電阻低至48mR，確保了在中高功率應(yīng)用中的優(yōu)秀能效表現(xiàn)。廣泛應(yīng)用于電源開(kāi)關(guān)控制、電池管理系統(tǒng)以及各類(lèi)負(fù)載驅(qū)動(dòng)場(chǎng)合，是工程師追求高效、低損耗設(shè)計(jì)方案的上佳選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
Si2307CDS-T1-E3是一款高性能P溝道MOSFET，采用小巧的SOT-23封裝，適應(yīng)各類(lèi)空間緊湊的電子設(shè)計(jì)需求。該器件具有30V的高工作電壓VDSS，支持4.1A的連續(xù)電流ID，同時(shí)具備出色的48mR導(dǎo)通電阻，有效提升系統(tǒng)能效，降低功耗。廣泛應(yīng)用于電源管理、電池保護(hù)電路以及各類(lèi)負(fù)載驅(qū)動(dòng)場(chǎng)合，是您優(yōu)化電路設(shè)計(jì)的理想選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
Si2307BDS-T1-E3MOS管是一款P溝道MOSFET器件，采用緊湊耐用的SOT-23封裝，適用于各種小型化設(shè)計(jì)。它擁有30V的高工作電壓VDSS和4.1A的大電流處理能力，確保在中高功率應(yīng)用中的穩(wěn)定性。此外，48mR的導(dǎo)通電阻實(shí)現(xiàn)了高效能量轉(zhuǎn)換和低功耗運(yùn)行。該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電源開(kāi)關(guān)、電池保護(hù)電路和負(fù)載驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，是工程師設(shè)計(jì)高效節(jié)能電路的理想選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
NDS352APMOS管是一款高品質(zhì)P溝道MOSFET，采用緊湊而可靠的SOT-23封裝。其核心特性包括能夠承受高達(dá)30V的電壓，提供高達(dá)4.1A的連續(xù)電流處理能力，并具備出色的導(dǎo)通電阻僅為48mΩ，有助于降低功耗，提高系統(tǒng)效能。此器件尤其適用于電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)以及各種便攜式電子設(shè)備的電池保護(hù)應(yīng)用，是工程師實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定設(shè)計(jì)方案的理想組件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
TN2106K是一款N溝道MOS管，采用小型SOT-23封裝，特別適應(yīng)于空間有限的電路設(shè)計(jì)需求。器件具有60V的高電壓耐受力(VDSS)，并能穩(wěn)定處理0.3A的連續(xù)漏極電流(ID)。其內(nèi)部結(jié)構(gòu)優(yōu)化，導(dǎo)通電阻低至1000mR，顯著降低功耗，提高工作效率。TN2106K廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)控制以及其它高效能、低損耗的電子系統(tǒng)中，是您優(yōu)化電路性能的理想選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
BSH111BKR是一款N溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，特別適用于緊湊型電子設(shè)計(jì)。該器件具有60V的漏源電壓額定值(VDSS)，可承載0.3A的連續(xù)漏極電流(ID)，且因其卓越的導(dǎo)通性能，導(dǎo)通電阻低至1000mR，有效減少能源損耗，提升系統(tǒng)效率。廣泛運(yùn)用于電源轉(zhuǎn)換、開(kāi)關(guān)控制、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等各種電路中，是您實(shí)現(xiàn)低功耗、高性能設(shè)計(jì)的理想半導(dǎo)體元件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
Si2343DS-T1-E3是一款高性能P溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，專(zhuān)為高效能和低功耗電路設(shè)計(jì)。該器件支持高達(dá)30V的漏源電壓(VDSS)，能承載最大4.1A的連續(xù)漏極電流(ID)，且具備48mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保了卓越的能效和可靠性。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，是構(gòu)建緊湊、節(jié)能型電子設(shè)備的理想半導(dǎo)體元件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
ST2303SRGMOS管是一款專(zhuān)業(yè)級(jí)P溝道MOSFET，采用緊湊耐用的SOT-23封裝，特別適合于現(xiàn)代精密電子設(shè)備。該器件工作電壓高達(dá)30V，提供強(qiáng)大的4.1A連續(xù)電流處理能力，其亮點(diǎn)在于48mΩ的超低導(dǎo)通電阻，顯著提高了能源效率并減小功耗。廣泛應(yīng)用于電源管理、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)等場(chǎng)景，是您設(shè)計(jì)高效、節(jié)能電路方案的理想組件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
NTR4502PMOS管是一款P溝道半導(dǎo)體器件，采用小型化SOT-23封裝，特別適合于緊湊型電路設(shè)計(jì)。其關(guān)鍵參數(shù)包括最高30V的工作電壓，4.1A的強(qiáng)大連續(xù)電流承載能力，以及超低的48mΩ導(dǎo)通電阻，有效提升了電源效率，減少了能量損耗。本產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)以及各類(lèi)電子設(shè)備的電源管理系統(tǒng)中，以優(yōu)異的性能表現(xiàn)滿足您的高效能需求。
