場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該款SMA封裝單向TVS瞬態(tài)抑制二極管，專(zhuān)為6V系統(tǒng)設(shè)計(jì)，提供強(qiáng)勁的正向過(guò)電壓保護(hù)。具備38.8A峰值脈沖電流IPP能力，能迅速響應(yīng)并鉗位電路中的瞬態(tài)高壓，有效防止浪涌、瞬變事件對(duì)電子設(shè)備造成損害，尤其適用于高功率和需要強(qiáng)大瞬態(tài)防護(hù)性能的電源線及信號(hào)接口場(chǎng)合。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
此款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用小型SOP-8封裝，專(zhuān)為30V系統(tǒng)設(shè)計(jì)，提供高達(dá)12A的連續(xù)電流處理能力。具備優(yōu)秀的開(kāi)關(guān)性能與低導(dǎo)通電阻，廣泛應(yīng)用于電池保護(hù)、電源切換以及高功率負(fù)載控制場(chǎng)景，是現(xiàn)代電子產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)高效能、穩(wěn)定運(yùn)行的理想選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
高效能N+N溝道MOSFET，采用緊湊型SOP-8封裝，適用于60V電壓環(huán)境，具備6.5A強(qiáng)勁連續(xù)電流處理能力。特別適合于消費(fèi)級(jí)電子產(chǎn)品中的電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)及逆變器應(yīng)用，其出色的低導(dǎo)通電阻與高速切換性能，確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)作并優(yōu)化能源效率。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
本款消費(fèi)級(jí)N+P溝道MOSFET采用DFN5X6-8L封裝，集成雙通道設(shè)計(jì)，額定電壓40V，連續(xù)電流高達(dá)30A。專(zhuān)為高效電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載切換及電池管理系統(tǒng)打造，實(shí)現(xiàn)高集成度與卓越能效，滿(mǎn)足現(xiàn)代電子設(shè)備的小型化需求。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
此款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用經(jīng)典TO-220F封裝，額定電壓高達(dá)650V，連續(xù)電流可達(dá)7A，適用于高電壓、大電流的電源轉(zhuǎn)換與開(kāi)關(guān)控制應(yīng)用。為電子設(shè)備提供強(qiáng)大且穩(wěn)定的功率管理解決方案。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
這款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用TO-220F封裝，額定電壓高達(dá)650V，連續(xù)電流承載能力為12A，專(zhuān)為高功率電子設(shè)備設(shè)計(jì)，適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景，提供強(qiáng)大穩(wěn)定且高效的開(kāi)關(guān)控制性能。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
此款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，具有100V耐壓及高達(dá)20A的連續(xù)電流承載能力，專(zhuān)為高性能電子設(shè)備設(shè)計(jì)，應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制等領(lǐng)域，提供卓越的功率開(kāi)關(guān)效能與穩(wěn)定性。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
DMP1045U是一款P溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝，適合空間有限的現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)。器件參數(shù)出色具有20V的最大工作電壓VDSS，可穩(wěn)定處理5A的漏極電流；30mΩ的低導(dǎo)通電阻RD(on)，有助于減少功率損耗，提升系統(tǒng)能效。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)控制、電池保護(hù)等領(lǐng)域，是您設(shè)計(jì)緊湊型、高能效電子產(chǎn)品的理想MOS管選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該款N溝道消費(fèi)級(jí)MOSFET采用TO-3P封裝，專(zhuān)為處理500V高電壓、大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。額定連續(xù)電流25A，適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及工業(yè)控制領(lǐng)域，具有低導(dǎo)通電阻與優(yōu)良散熱性能，是現(xiàn)代電子設(shè)備高效能功率管理的理想半導(dǎo)體元件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
這款高性能P溝道消費(fèi)級(jí)MOSFET采用超小型DFN5X6-8L封裝，專(zhuān)為高功率密度和大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。器件具有30V額定電壓，并能承載高達(dá)90A的連續(xù)電流，適用于高效電源開(kāi)關(guān)、電池管理系統(tǒng)以及大電流負(fù)載切換場(chǎng)景，提供卓越的能效與出色的散熱性能，是現(xiàn)代電子設(shè)備的理想核心組件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
本款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用DFN5X6-8L封裝，具備60V高耐壓及卓越的125A大電流處理能力。專(zhuān)為高性能、低電阻開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)，廣泛應(yīng)用于各類(lèi)消費(fèi)電子產(chǎn)品中，實(shí)現(xiàn)高效能與緊湊空間利用的完美結(jié)合。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該款N溝道消費(fèi)級(jí)MOSFET采用TO-220封裝，專(zhuān)為100V電壓下大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。額定連續(xù)電流33A，適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及電池管理系統(tǒng)，具有出色的低導(dǎo)通電阻與高效散熱性能，是現(xiàn)代電子產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)高效率功率控制的理想半導(dǎo)體組件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
型號(hào)AO3404A的高性能N溝道MOS管，采用了節(jié)省空間的SOT-23-3L封裝，便于在緊湊型電路板上集成。其關(guān)鍵電氣參數(shù)表現(xiàn)出色，最大工作電壓VDSS高達(dá)30V，連續(xù)電流ID承載能力高達(dá)5.8A，充分滿(mǎn)足高功率應(yīng)用需求。尤為突出的是，導(dǎo)通電阻RD(on)僅為22mR，以極低的功率損耗實(shí)現(xiàn)了更高的工作效率。這款MOS管廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、LED驅(qū)動(dòng)等多個(gè)領(lǐng)域，是您提升電路性能、優(yōu)化能源利用的理想元件選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
型號(hào)SSM3K333R的N溝道MOS管采用緊湊輕巧的SOT-23-3L封裝，專(zhuān)為現(xiàn)代電子產(chǎn)品的小型化設(shè)計(jì)需求打造。該器件具有優(yōu)越的電氣性能，最高工作電壓VDSS為30V，連續(xù)電流ID高達(dá)5.8A，確保在大電流環(huán)境下穩(wěn)定可靠運(yùn)作。導(dǎo)通電阻RD(on)僅為22mR，顯著減少功率損耗，提升系統(tǒng)能效。廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域，是工程師追求高效率、低能耗的理想半導(dǎo)體組件選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
DMN3730UN溝道MOSFET采用小型化SOT-23封裝，專(zhuān)為高效、節(jié)省空間的設(shè)計(jì)方案打造。該器件擁有卓越性能，額定電壓VDSS高達(dá)30V，連續(xù)漏極電流ID達(dá)5A，充分滿(mǎn)足高功率應(yīng)用需求。其亮點(diǎn)在于僅為33mΩ的超低導(dǎo)通電阻RD(on)，有助于減少能量損耗并提升整體效能，是電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體解決方案。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
DMN3150L是一款精巧的N溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝形式，專(zhuān)為緊湊型電路設(shè)計(jì)打造。器件的核心優(yōu)勢(shì)在于具備30V的漏源極最大耐壓(VDSS)，可持續(xù)承載5A的漏極電流(ID)，確保強(qiáng)大而穩(wěn)定的電流處理性能。尤為突出的是其低至33mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))，有效減少了功耗，提高了系統(tǒng)能效。這款MOS管廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載切換以及各種要求高效、低阻抗半導(dǎo)體解決方案的場(chǎng)景中。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
型號(hào)SSM3J334R的P溝道MOS管，采用緊湊型SOT-23-3L封裝，專(zhuān)為現(xiàn)代微小化電子設(shè)備設(shè)計(jì)。器件具有優(yōu)良電氣性能，額定電壓VDSS高達(dá)30V，連續(xù)電流ID容量可達(dá)4.1A，滿(mǎn)足中大電流應(yīng)用需求。其導(dǎo)通電阻RD(on)僅為42mR，有助于降低功耗并提高系統(tǒng)能效。廣泛應(yīng)用于電源管理、負(fù)載切換、邏輯電平轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域，是工程師在設(shè)計(jì)高效率、低能耗電路時(shí)的理想選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
型號(hào)AO3480的N溝道MOS管采用緊湊型SOT-23-3L封裝，適應(yīng)現(xiàn)代電子產(chǎn)品的小型化需求。該器件具有強(qiáng)大的性能指標(biāo)，額定電壓VDSS高達(dá)30V，連續(xù)電流ID承載能力為5.8A，適合處理大電流場(chǎng)合。值得一提的是，其導(dǎo)通電阻RD(on)低至21mR，有效降低了功率損耗，提升了系統(tǒng)能效比。廣泛應(yīng)用于電源管理、開(kāi)關(guān)電路、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等各種場(chǎng)景，是工程師進(jìn)行高性能、低功耗設(shè)計(jì)的理想選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
PMV40UN2RN溝道MOS管采用節(jié)省空間的SOT-23封裝，專(zhuān)為優(yōu)化電路布局而設(shè)計(jì)。器件支持最大30V的漏源極電壓(VDSS)，具備5A的強(qiáng)大連續(xù)漏極電流(ID)處理能力，適用于多種中高功率應(yīng)用場(chǎng)合。其亮點(diǎn)在于擁有33mΩ的低導(dǎo)通電阻(RD(on))，顯著降低功耗，提升能效表現(xiàn)。這款MOS管廣泛應(yīng)用在電源管理、電池保護(hù)、以及其他需要高效能、小體積半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)域。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
這款型號(hào)為DMN3300U的N溝道MOS管采用緊湊型SOT-23封裝，適用于各類(lèi)精密電子設(shè)備。其核心參數(shù)強(qiáng)大，具備30V的最大漏源極電壓VDSS和5A的連續(xù)漏極電流ID，確保了高效的電力傳輸能力。尤為突出的是其低至33mΩ的導(dǎo)通電阻RD(on)，有效降低功耗并提升系統(tǒng)能效，是高可靠性、高性能電源管理方案的理想選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
型號(hào)SSM3J14T的P溝道MOS管采用小型SOT-23-3L封裝，適合于緊湊型電路設(shè)計(jì)。該器件具備出色電氣性能，最大工作電壓VDSS高達(dá)30V，可持續(xù)處理4.1A電流，適用中大型電流應(yīng)用場(chǎng)景。其特色在于導(dǎo)通電阻RD(on)低至42mR，有助于降低功率損耗并提升能源使用效率。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)、反向電流保護(hù)等功能模塊，是工程師構(gòu)建高效節(jié)能電子系統(tǒng)的重要組件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
DMN3110S是一款N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專(zhuān)為節(jié)約空間的電路設(shè)計(jì)打造。器件特征包括30V的最大漏源電壓(VDSS)及4A連續(xù)漏極電流(ID)，展現(xiàn)出卓越的電流處理能力。其29mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))設(shè)計(jì)，有效降低系統(tǒng)損耗，實(shí)現(xiàn)更高的能效比。DMN3110S廣泛應(yīng)用在電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域，是緊湊、高效半導(dǎo)體解決方案的理想選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
PMV45EN2R是一款高性能N溝道MOS管，選用緊湊型SOT-23封裝，尤其適合對(duì)空間利用有嚴(yán)格要求的電路設(shè)計(jì)。其核心技術(shù)指標(biāo)包括最高30V的漏源極擊穿電壓(VDSS)，以及4A的連續(xù)漏極電流(ID)，彰顯出強(qiáng)大的電流處理性能。更值得關(guān)注的是，該器件具有優(yōu)越的導(dǎo)通電阻(RD(on))僅為29mΩ，旨在最大程度地減少功率損耗，提高系統(tǒng)效能。這款MOS管廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換器、充電器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等需高效能、低阻抗元件的電子產(chǎn)品中。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
Si2366DS-T1-GE3是一款N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專(zhuān)為現(xiàn)代精密電子設(shè)備設(shè)計(jì)。器件亮點(diǎn)包括最大工作電壓VDSS高達(dá)30V，能穩(wěn)定輸送4A的漏極電流，滿(mǎn)足高功率需求；導(dǎo)通電阻RD(on)僅為29mΩ，確保低功耗和高效率運(yùn)作。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池保護(hù)等領(lǐng)域，是您追求高性能與節(jié)能方案的理想N溝道MOS管選擇。
