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SOT-23

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

MMBF0201NLN溝道MOSFET采用緊湊型SOT-23封裝，專為高密度電路設計。器件支持高達20V的電壓額定值(VDSS)，并能在低導通電阻48mR(RD(on))下穩定傳輸2.3A漏極電流(ID)，實現卓越的功率轉換效率。這款MOS管適合應用于各種開關電源、電機驅動控制以及便攜式電子設備等場合，是您追求高效能、低功耗電路解決方案的理想組件。

XP151A13A0MR

SOT-23

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

這款XP151A13A0MR-MOS管采用先進的N溝道技術，封裝形式為SOT-23，小巧而高效。其核心參數出色，具備20V的額定電壓VDSS和高達2.3A的連續漏極電流ID，確保了卓越的電力處理能力。尤為突出的是，該器件擁有超低的導通電阻RD(on)，僅為48mΩ，可顯著降低功耗，提升系統能效，是您在設計高效率電源轉換、電機驅動等應用中的理想選擇。

SM4496PRL

SOP-8

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

SM4496PRLN溝道MOSFET采用緊湊型SOP-8封裝，專為高功率、高效能電子設備設計。該器件提供30V的最大漏源電壓(VDSS)，可穩定處理8.5A連續電流，具有僅14mΩ的導通電阻，確保在大電流應用中實現卓越的能效與低損耗。廣泛應用于電源轉換、電機驅動、負載開關等場景，以強大的電流處理能力和優良的電氣性能，成為電路設計的理想組件。

IRFHM9331TRPBF

DFN-8L(3x3)

MXsemi

場效應管(MOSFET)

5000個/圓盤

這款高性能P溝道消費級MOSFET采用超緊湊DFN3X3-8L封裝，專為高功率密度和大電流應用設計。具備30V額定電壓及高達40A的連續電流處理能力，特別適用于電池保護、電源開關以及高效電源轉換場景，提供卓越的能效表現與優秀的熱管理性能，是現代小型化電子設備的理想之選。

DMN2020LSN

SOT-23

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

DMN2020LSNN溝道MOSFET采用緊湊型SOT-23封裝，專為高效能電子設備設計。該器件擁有20V的最大漏源電壓(VDSS)，并能處理高達5A的連續電流，導通電阻低至14mΩ，確保了系統在大電流傳輸下的高效穩定運行。廣泛適用于電源轉換、電機控制、負載開關等各種需要高性能N溝道MOS管的應用場景，是您優化電路設計、提升系統效能的理想之選。

SM3416SRL

SOT-23

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

SM3416SRL是一款高性能N溝道MOSFET，封裝形式為緊湊型SOT-23，適合高密度電路板設計。該器件具備20V的額定電壓VDSS和6A的強大連續電流ID，展現出卓越的電力管理性能。尤為突出的是其超低導通電阻RD(on)僅為14mΩ，有助于顯著減少能量損耗，提升整體系統效率，是您優化電路設計、實現節能應用的理想之選。

Si2342DS-T1-GE3

SOT-23

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

Si2342DS-T1-GE3是一款高品質N溝道MOS管，采用節省空間的SOT-23封裝，特別適合現代緊湊型電路設計需求。其關鍵特性包括額定電壓VDSS高達20V，能夠承載高達7A的連續電流，展現強勁的電力驅動能力。更值得一提的是，器件的導通電阻RD(on)低至15mΩ，確保在工作狀態下具有極低的能量損耗與高效的能效表現，是您優化系統性能、提高能源利用率的絕佳選擇。

SM2312SRL

SOT-23-3L

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

SM2312SRLN溝道MOSFET采用小巧的SOT-23-3L封裝，專為高效、緊湊型電路設計。器件具備20V的漏源電壓(VDSS)，能在18mR的低導通電阻(RD(on))下，穩定輸出高達6A的漏極電流(ID)。適用于開關電源、電機驅動、高頻開關電路等應用，該MOS管以其卓越的電流承載能力和優良的能效表現，成為優化系統性能、減小能耗的理想半導體組件。

Si2312BDS-T1-GE3

SOT-23

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

Si2312BDS-T1-GE3是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為高集成度和低功耗應用設計。器件具有20V的最大漏源電壓(VDSS)，并可承受3A的連續漏極電流(ID)，憑借其卓越的23mΩ導通電阻(RD(on))，在保證高效率的同時有效降低功耗。廣泛應用于電源轉換、負載開關、電池保護等電路中，是實現小型化、節能電子設備的理想半導體元件。

DMN3042L

SOT-23

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

DMN3042L是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，為高功率密度設計提供理想解決方案。器件具有30V的漏源電壓耐受值(VDSS)，并能在正常工作狀態下承載高達5.8A的漏極電流(ID)，同時，得益于其低至28mR的導通電阻(RD(on))，實現了卓越的能效表現。此款MOS管廣泛應用于開關電源、電機驅動及其它高電流、高效能的電子系統中，是您提升系統性能和節能效率的理想之選。

BSS306NH6327

SOT-23

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

該N溝道消費級MOSFET采用緊湊型SOT-23封裝，專為30V電壓下高效能、中等電流應用設計。具備5A連續電流處理能力，廣泛應用于電源轉換、負載開關及便攜式設備的功率管理模塊，提供低導通電阻和優異的散熱性能，是現代電子產品的理想集成組件。

IRLML2030TRPBF

SOT-23

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

這款N溝道消費級MOSFET采用SOT-23封裝，專為高效能、中等電流應用設計。額定電壓30V，提供5.8A連續電流處理能力，尤其適用于電源轉換、負載開關和電池管理系統，具備低導通電阻及卓越的熱性能，是現代電子設備的理想功率管理組件。

DMG301NU

SOT-23

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

DMG301NUN溝道MOS管采用微型SOT-23封裝，適應各類空間緊湊的電路設計。該器件能在30V的最大工作電壓下穩定運行，提供0.1A的連續電流，其導通電阻為1200mR，特別適用于低功率、低電流控制場合。常用于邏輯門控開關、電源線路保護、以及其他需要精細電流控制的電子設備中，是您微電子系統設計的理想組件。

DMG3414U

SOT-23

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

DMG3414UN溝道MOS管采用小型SOT-23封裝，為現代緊湊型電子設計提供理想解決方案。該器件能在20V的最大工作電壓下穩定運行，支持高達7A的連續電流，并配備優秀的15mΩ導通電阻，確保高效能、低功耗。廣泛應用于電源管理、高速開關電路、電機驅動系統等領域，是您追求高性能與節能設計的首選器件。

FDN339AN

SOT-23-3L

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

FDN339AN是一款N溝道MOSFET，采用節省空間的SOT-23-3L封裝，專為高效能電子設計。該器件擁有20V的漏源電壓(VDSS)，能在僅18mR的導通電阻(RD(on))下，輕松承載高達6A的漏極電流(ID)。廣泛應用于開關電源轉換、電機驅動、快速開關電路等領域，憑借其卓越的電流承載能力和優異的能效性能，成為您優化系統設計，提升整體效能的理想半導體元件。

BSR802N

SOT-23-3L

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

BSR802NN溝道MOSFET采用緊湊型SOT-23-3L封裝，專為高功率密度和高效能電路設計。器件具有20V的漏源電壓(VDSS)，并能在低至18mR的導通電阻(RD(on))下，支持高達6A的連續漏極電流(ID)。這款MOS管適用于開關電源、DC/DC轉換器、電機驅動等場景，憑借其出色的電流處理能力和高效能表現，成為優化系統性能的理想選擇。

SM3401SRL

SOT-23

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

SM3401SRL是一款高性能P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為高效率和小型化電子設備設計。器件支持30V的最大漏源電壓(VDSS)，并能處理高達4.2A的連續漏極電流(ID)，其45mΩ的導通電阻(RD(on))確保了優越的電能轉換效率和低功耗特性。廣泛應用于電源轉換、負載開關、電池管理系統等領域，是實現節能、緊湊型電子解決方案的理想半導體元件。

DMG3418L

SOT-23

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

DMG3418LN溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝技術，為現代電路設計提供了高功率密度解決方案。這款器件具備30V的高額定漏源電壓(VDSS)，并可在導通狀態下輕松駕馭高達5.8A的漏極電流(ID)，同時展現出令人稱贊的低導通電阻，僅為28mR(RD(on))，確保了卓越的能效表現。DMG3418LMOS管廣泛應用于開關電源、高速電機驅動以及眾多高性能電子系統中，是您構建強大而又節能的電路系統的得力助手。

NX2301PVL

SOT-23

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

NX2301PVL是一款P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為現代小型化電子產品設計。該器件具有20V的最大漏源電壓(VDSS)，能夠承載穩定的2.3A漏極電流(ID)，并配備95mΩ的低導通電阻(RD(on))，確保在低電壓、中等電流應用中發揮高效性能。這款MOS管適用于電源管理、負載開關控制、邏輯電平轉換等用途，是實現高集成度、節能型電子系統的重要組成部分。

FDN336P

SOT-23

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

FDN336P是一款采用SOT-23封裝的P溝道MOS管，具有小巧高效的特性。其額定電壓高達20V，連續電流可達2.3A，確保了強大的電源處理能力。導通電阻僅為95mΩ，有效降低功耗，提升系統能效。適用于各類低電壓、大電流開關電路設計，是您電子項目中的理想選擇。

ST2300

SOT-23-3L

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

ST2300N溝道MOSFET采用緊湊型SOT-23-3L封裝，專為高效率和小型化電路設計。該器件具有20V的漏源電壓(VDSS)，在18mR的超低導通電阻(RD(on))條件下，可承載最大6A的漏極電流(ID)。適用于開關電源轉換、電機驅動、負載開關等應用領域，ST2300憑借其強大的電流處理能力和優秀的能效表現，成為您優化系統性能的理想半導體元件。

DMN2053U

SOT-23

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

DMN2053U是一款高效N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為高功率密度和節能電子應用設計。該器件提供20V的最大漏源電壓(VDSS)，支持6A的連續漏極電流(ID)，并配備超低的22mΩ導通電阻(RD(on))，確保了優良的電能轉換效率和低功耗特性。廣泛應用于電源轉換、負載開關、電池管理系統等場景，是小型化、高性能電子設備的理想半導體組件。

NTR1P02L

SOT-23

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

NTR1P02LMOS管，采用緊湊型SOT-23封裝，專為高效能電路設計。這款P溝道MOS管擁有20V的最大漏源電壓(VDSS)，在保證穩定性的前提下，可提供高達2.3A的連續drain電流(ID)。其出色的導通電阻僅為120mΩ，有效降低功耗并提升系統工作效率，是您電子設備電源管理、開關控制的理想選擇。

Si2312CDS-T1-GE3

SOT-23

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

Si2312CDS-T1-GE3是一款高性價比N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，特別適用于空間受限且需高效能的電子設計。器件支持最大20V的漏源電壓(VDSS)，并能穩定提供6A的漏極電流(ID)，同時擁有低至22mΩ的導通電阻(RD(on))，確保了優秀的電能轉換效率和低功耗。廣泛應用于電源管理、負載開關、馬達驅動等場景，是小型化、節能型電子設備的理想半導體元件。

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