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DMN2058U

SOT-23

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

DMN2058U是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為高效能電子設備設計。該器件提供20V的最大漏源電壓(VDSS)，可穩定處理高達6A的漏極電流(ID)，且具備出色的低導通電阻22mΩ(RD(on))，確保了卓越的能效表現和低功耗。廣泛應用在電源管理、電池保護、開關調節等場景中，是實現小型化、高效率電路設計的理想半導體元件。

AO3409

SOT-23-3L

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

AO3409是一款高性能P溝道MOSFET，采用小型化SOT-23-3L封裝，專為高集成度和節能電子設計。該器件提供30V的最大漏源電壓(VDSS)，能夠承載4.2A的連續漏極電流(ID)，并具有出色的45mΩ導通電阻(RD(on))，確保在低功耗下仍能保持高效的電能轉換效率。廣泛應用于電源轉換、負載開關、電池管理系統等場景，是小型化、高性能電子設備的優選半導體元件。

AO3403

SOT-23-3L

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

AO3403是一款高效P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23-3L封裝，專為高效率和小型化電子應用設計。該器件支持最大30V的漏源電壓(VDSS)，能夠承載高達4.2A的連續漏極電流(ID)，并具有低至45mΩ的導通電阻(RD(on))，確保在低功耗環境下依然維持卓越的電能轉換效率。廣泛應用于電源管理、負載開關控制、電池保護電路等領域，是打造節能、緊湊型電子解決方案的理想半導體組件。

ST3401M23RG

SOT-23-3L

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

ST3401M23RG是一款P溝道MOSFET，采用節省空間的SOT-23-3L封裝形式，專為緊湊型電子設計打造。其關鍵性能指標包括最大漏源電壓VDSS為30V，能提供高達4.2A的連續漏極電流ID，同時具備低至45mR的導通電阻RD(on)，確保在開關過程中的高效能與低損耗。廣泛應用于電源管理、電池保護系統、負載開關控制及其他需要低電壓、中等電流切換功能的電子設備中。

IRLML6246TRPBF

SOT-23

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

該N溝道消費級MOSFET采用小巧的SOT-23封裝，專為高效能、中高電流應用設計。額定電壓20V，可承載高達6A連續電流，適用于電源轉換、負載開關以及電池管理系統，提供低導通電阻和出色的熱穩定性，是現代電子設備實現精準功率控制的理想半導體組件。

MCH3376

SOT-323

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

MCH3376是一款高效P溝道MOSFET，采用小型SOT-323封裝，專為高密度電路設計。器件提供20V的最大漏源電壓(VDSS)，可承載1.8A的連續漏極電流(ID)，并具有120mΩ的導通電阻(RD(on))，確保在低功耗下保持良好的電能轉換效率。廣泛應用于電源管理、負載開關、邏輯電路反轉等領域，是小型化、節能型電子設備的理想半導體組件。

DMN2046U

SOT-23

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

DMN2046U型號MOS管采用小型SOT-23封裝，內部集成高效N溝道技術，專為優化電路性能打造。該器件支持高達20V的漏源電壓(VDSS)，并能在滿載條件下穩定提供6A的連續漏極電流(ID)，適應中小功率應用場景。憑借14mR的低導通電阻(RD(on))，它能有效降低能耗，提高系統效率。廣泛應用于電源轉換、負載開關控制及各類低壓電子設備的開關電路設計，是您提升產品性能的理想半導體器件。

Si2312BDS-T1-E3

SOT-23

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

Si2312BDS-T1-E3是一款高性能N溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝，專為高效能、低功耗電路設計。該器件提供20V的最大漏源電壓(VDSS)，可穩定承載3A的漏極電流(ID)，并具備出色的23mΩ導通電阻(RD(on))，確保了良好的能源轉換效率。廣泛應用于電源管理、負載開關、電池管理系統等場景，是構建小型化、節能型電子設備的優秀半導體組件。

DMN2075U

SOT-23

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

DMN2075U是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為高效率和小型化電子設計。該器件擁有20V的最大漏源電壓(VDSS)，能夠承載3A的連續漏極電流(ID)，并以其出色的23mΩ導通電阻(RD(on))確保了卓越的能效和低功耗表現。廣泛應用于電源轉換、負載開關、電池保護等領域，是實現高效、節能電子解決方案的精選半導體元件。

NDS0610

SOT-23

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

NDS0610P溝道MOSFET采用流行的SOT-23封裝形式，針對空間受限和高效率電路設計。該器件具有60V的漏源擊穿電壓(VDSS)，能在160mR(RD(on))的低導通電阻下，穩定地處理2A的漏極電流(ID)。適用于電池保護、電源切換和負載驅動等應用場合，這款MOS管以強大的電壓承載能力和精確的電流控制優勢，助力提升您的電路性能與可靠性。

Si2301DS

SOT-23

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

型號Si2301DS的P溝道MOS管采用小型SOT-23封裝，特別適用于對空間要求嚴苛的電子設計項目。該器件具有卓越的電氣性能，最大工作電壓VDSS為20V，連續電流ID高達2.3A，適用于中低電壓大電流應用。其導通電阻RD(on)僅為95mR，有效降低功率損耗，提高系統效率。廣泛應用于電源管理、負載開關、邏輯電平轉換等領域，是工程師設計高效、低耗能電路的理想組件。

BSS215P

SOT-23

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

BSS215PP溝道MOS管采用緊湊型SOT-23封裝，專為高效率、低功耗電子設備設計。該器件具備出色的電氣性能，最大工作電壓VDSS為20V，可持續處理電流ID高達2.3A，且擁有超低導通電阻RD(on)95mR，確保了在高速開關和大電流應用中顯著節能降耗。廣泛應用于電源轉換、負載開關、電機驅動等場景，BSS215P以穩定的品質和卓越性能，成為您的電路設計中不可或缺的組件。

BSH205G2A

SOT-23

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

型號BSH205G2A的P溝道MOS管采用小型SOT-23封裝，特別適應于現代電子設備的小型化需求。該器件具有穩健的電氣性能，最大工作電壓VDSS為20V，連續電流ID可達2.3A，適宜中低電壓大電流應用環境。其導通電阻RD(on)為95mR，有助于減少功率損耗并提高系統效率。廣泛應用在電源轉換、負載開關控制、邏輯電平轉換器等電路設計中，是工程師尋求高效、低能耗解決方案的理想MOS管組件。

Si2301ADS

SOT-23

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

型號Si2301ADS的P溝道MOS管采用緊湊型SOT-23封裝，特別適合小型化電子產品設計。該器件提供穩定可靠的性能，工作電壓VDSS高達20V，連續電流ID可達2.3A，滿足中低電壓大電流應用場景。導通電阻RD(on)低至95mR，有效減少功率損耗，提升整體能效。廣泛應用于電源轉換、負載開關、邏輯電平轉換器等各類電路設計中，是工程師構建高效節能系統的理想MOS管選擇。

SSM3K335R

SOT-23-3L

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

SSM3K335R是一款N溝道MOS管，采用節省空間的SOT-23-3L封裝，專為現代緊湊電路設計打造。該器件提供30V的額定電壓VDSS，以及高達5.8A的連續電流ID能力，保證出色的功率處理性能。其導通電阻RD(on)為22mΩ，致力于在高效率運作的同時減少能耗損失。非常適合應用于電源管理、負載切換以及低壓電機驅動等場景，是您尋求高性價比半導體解決方案的理想之選。

SI2309CDS-T1-GE3

SOT-23

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

SI2309CDS-T1-GE3是一款P溝道MOSFET，采用小巧的SOT-23封裝，適用于空間緊湊的高效電路設計。該器件具備60V的漏源電壓額定值(VDSS)，能在160mR(RD(on))的導通電阻下穩定傳遞2A漏極電流(ID)。廣泛應用于電源管理、電池保護電路、負載開關等場景，憑借其出色的電壓耐受力與良好的電流控制特性，成為您提升系統效能和可靠性的理想半導體組件。

DMP3030SN

SOT-23-3L

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

DMP3030SN是一款P溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，特別適合緊湊型電路設計。器件具有30V的額定電壓VDSS，提供高達4.1A的連續電流ID，而且導通電阻僅有42mR，有助于提升系統能效，減少功耗。廣泛應用在電源開關、電池保護電路以及各種中等電流負載驅動場景中，是您優化電路設計、實現高效能源管理的理想半導體組件。

SM3400SRL

SOT-23

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

SM3400SRLN溝道MOSFET采用SOT-23微型封裝，專為緊湊型和高效能電路設計。該器件擁有30V的高擊穿電壓(VDSS)，可承載高達5.8A的連續漏極電流(ID)，并具備出色的導通性能，導通電阻僅為28mR(RD(on))。憑借這些特性，SM3400SRL適用于開關電源轉換、大電流電機驅動和其他高功率應用場合，旨在提升系統效能，降低能耗，是您的電路設計理想之選。

SM2305SRL

SOT-23

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

SM2305SRLP溝道MOSFET采用緊湊型SOT-23封裝，專為高集成度電路設計。器件具備20V的最大工作電壓（VDSS），并能承載高達5A的連續漏極電流（ID），顯示了卓越的電流處理性能。其35mR的低導通電阻（RD(on)）確保了在大電流應用中的高效能和低功耗。廣泛應用于電源管理、負載開關、電池保護電路等多種場合，是您進行高精度、低損耗功率控制的理想選擇。

FDV301N

SOT-23

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

FDV301NN溝道MOS管，采用緊湊型SOT-23封裝，專為精細化電子設計打造。在30V的額定電壓下穩定運行，提供精確到0.1A的電流控制能力，具備1200mR導通電阻，尤其適用于低功耗、小電流應用環境。廣泛應用于電源管理、信號切換、保護電路等領域，是您追求高效、節能電路解決方案的理想元件。

IRLML6244PBF

SOT-23

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

IRLML6244PbF是一款N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，適合空間受限的電路設計。器件在20V的最大工作電壓下，可承載高達7A的連續電流，并提供優異的15mΩ導通電阻，實現高效能、低損耗的功率轉換。廣泛應用于電源管理、馬達驅動、開關穩壓器等各種場合，是打造高性能、節能電子產品的理想之選。

AO3406

SOT-23-3L

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

AO3406是一款N溝道MOSFET，采用小型SOT-23-3L封裝，特別適用于有限空間內的電路布局。本器件額定電壓VDSS為30V，峰值電流ID高達5.8A，展現出優越的電力驅動能力。其導通電阻RD(on)低至22mΩ，有效降低系統內阻，提升整體能效。AO3406是電源轉換、負載開關控制以及低壓馬達驅動等應用場合的理想半導體組件，以穩定的性能和緊湊設計滿足多樣化電路需求。

DMN2056U

SOT-23

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

DMN2056U是一款高性能N溝道MOSFET，采用小巧的SOT-23封裝，專為高功率密度電路設計。器件具備20V的最大漏源電壓(VDSS)，可承載高達6A的連續漏極電流(ID)，且具有出色的22mΩ導通電阻(RD(on))，確保了更低的功率損耗和更高的能源效率。廣泛應用于電源轉換、負載開關、電池管理系統等領域，是實現小型化、節能電子解決方案的理想半導體組件。

NDS332P

SOT-23

MXsemi

場效應管(MOSFET)

3000個/圓盤

NDS332PMOS管，采用緊湊型SOT-23封裝形式，內建P溝道結構，性能卓越。該器件具有20V的最高漏源擊穿電壓(VDSS)，能在安全電壓范圍內穩定工作，同時提供高達2.3A的連續漏極電流(ID)，確保強大驅動能力。尤其值得關注的是其超低導通電阻RD(on)僅120mR，顯著降低了功率損耗并提升了整體系統效能。適用于電源管理、開關調節等電路設計，是您實現高效能應用的理想之選。

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